Construcción de un reactor HFCVD y simulación del mecanismo de reacción para el depósito de películas SRO

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dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorLuna López, José Alberto
dc.contributorGarcía Salgado, Godofredo
dc.contributor.advisorLUNA LOPEZ, JOSE ALBERTO; 200808
dc.contributor.advisorGARCIA SALGADO, GODOFREDO; 122938
dc.contributor.authorMoran Martinez, Xochitl Aleyda
dc.creatorMORAN MARTINEZ, XOCHITL ALEYDA; 461337
dc.date.accessioned2022-08-04T14:30:16Z
dc.date.available2022-08-04T14:30:16Z
dc.date.issued2022-01-12
dc.description.abstract"En el presente trabajo de tesis se diseñó un reactor HFCVD para el depósito de películas de óxido de silicio rico en silicio. En este nuevo diseño se agregó un calentador en la parte donde se ubica el sustrato y cuenta con un sistema de control de la temperatura, mediante está implementación se busca uniformizar la temperatura del sustrato y así poder obtener mejores depósitos para que las propiedades morfológicas y estructurales de las películas SRO sean de mejor calidad, con el controlador de temperatura se busca tener un mejor control en la temperatura del sustrato, así como una medición más precisa de la temperatura de depósito. La configuración que se diseño fue maquinada en el taller del Posgrado en Dispositivos Semiconductores. Los componentes del reactor como el sistema de vacío, la potencia de los filamentos y los gases precursores, fueron instalados dentro de la cámara de vacío. Una vez que se fabricaron todas las piezas, el reactor fue armado e instalado en el laboratorio y conectado a los sistemas antes mencionados. Además del diseño y construcción, también se realizó la simulación de la fisicoquímica del proceso de depósito y del mecanismo de reacción en fase gaseosa y de reacción superficial".es_MX
dc.folio20220113140608-3849-Tes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator1es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/16115
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator217570730es_MX
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Pueblaes_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAes_MX
dc.subject.lccReactores químicos--Diseño y construcciónes_MX
dc.subject.lccDeposición química de vapores_MX
dc.subject.lccPelículas delgadas--Materialeses_MX
dc.subject.lccÓxido de silicioes_MX
dc.subject.lccDinámica de fluidos--Simulación por computadoraes_MX
dc.thesis.careerDoctorado en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Cienciases_MX
dc.thesis.degreetoobtainDoctor(a) en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.titleConstrucción de un reactor HFCVD y simulación del mecanismo de reacción para el depósito de películas SROes_MX
dc.typeTesis de doctoradoes_MX
dc.type.conacytdoctoralThesises_MX
dc.type.degreeDoctoradoes_MX
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