Diseño de circuito de acondicionamiento para ISFET en CMOS
Date
2024-12
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
"Los Transistores de Efecto de Campo Sensible a Iones (ISFET) son sensores químicos de estado sólido comúnmente utilizados para medir pH, ofreciendo ventajas significativas frente a los electrodos tradicionales, como su almacenamiento en seco, menor tamaño, mayor robustez y menor costo. No obstante, su desarrollo ha sido lento desde su presentación en los años 70, debido a la complejidad que implica su caracterización, la cual requiere conocimientos interdisciplinarios en química, microelectrónica, estado sólido y acondicionamiento de señales. Aunque su uso en áreas como biomedicina, agricultura y control de alimentos ha demostrado ser eficaz, persisten problemáticas técnicas como la histéresis, la dependencia térmica y las derivadas temporales, que dificultan su acondicionamiento electrónico. Este trabajo tiene como objetivo el desarrollo de un modelo eléctrico de un ISFET junto con un sistema de acondicionamiento, para lo cual se llevó a cabo una revisión detallada del comportamiento general del sensor. Se reconoce que, aunque su principio de funcionamiento es común, los resultados experimentales pueden variar según el proceso de fabricación. Finalmente, se presenta el diseño del sistema de acondicionamiento adaptado a las características del ISFET".
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