Caracterización de películas CdS impurificadas con iones Pb2+ mediante la técnica DBQ
Date
2014
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"En las últimas décadas las películas de CdS han sido investigadas mediante diversas técnicas de caracterización por la incorporación sistemática en la red cristalina de diversos elementos. Se ha reportado que las propiedades estructurales y ópticas del CdS son fuertemente modificadas por el efecto de la impurificación y es objeto de investigación. Reportes de los recientes avances en investigación de materiales semiconductores basados en la impurificación del CdS con los siguientes elementos: Fe [3], Ga [4], Pb [5], Co [6, 7], B [8], etc. son de interés tanto tecnológico como de investigación científica. Las películas de CdS impurificadas son altamente sensibles a la luz y un estudio de su estructura es de interés para la construcción de dispositivos como convertidores electroquímicos de importancia. Se esperaría que la mezcla de los semiconductores CdS y PbS, es interesante porque: (a) los dos semiconductores son muy buenos fotoconductores, (b) las transiciones electrónicas en ambos materiales es directa e indirecta.
En particular, las películas delgadas de CdS, es un material semiconductor prometedor para la construcción de dispositivos fotovoltaicos por poseer Eg, y mediante la impurificación sistemática, es posible ajustar para que coincida con el Eg ideal de 1.6 eV adecuado para ser utilizado en la construcción de celdas solares más eficientes comparadas con las construidas con otros semiconductores".
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