Metodología de caracterización de un láser semiconductor para las comunicaciones ópticas
Date
2002
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Benemérita Universidad Autonóma de Puebla
Abstract
Desarrollo de una metodología para la caracterización de láseres semiconductores utilizados en comunicaciones ópticas, considerando parámetros como potencia, eficiencia, polarización, ángulo de divergencia, distribución espacial, ancho de banda, apertura numérica y comportamiento de la corriente respecto a la potencia óptica. La metodología se aplica a diferentes fuentes láser, incluyendo un láser de He-Ne, un diodo láser infrarrojo y láseres de 980 y 1550 nm, seleccionando los parámetros de caracterización de acuerdo con las características de cada dispositivo. Los resultados proporcionan información de referencia para el análisis experimental de láseres y el desarrollo académico de aplicaciones de optoelectrónica y comunicaciones ópticas.