Efecto de las impurezas de "Cd+2" y "Ag+1" en las películas delgadas de ZnS Despositadas por el sol-gel.

dc.audiencegeneralPublic
dc.contributor.advisorGómez Barojas, Estela
dc.contributor.authorPérez Hernández, Leticia
dc.coverage.placeTesiteca Biblioteca Central 3er. piso
dc.date.accessioned2025-10-10T19:56:35Z
dc.date.available2025-10-10T19:56:35Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractEl sulfuro de zinc (ZnS) es un material semiconductor que puede tener forma cristalina cúbica o hexagonal y posee una propiedad especial: su energía prohibida está en la región ultravioleta (UV), lo que lo hace útil para absorber o manipular luz en esa zona del espectro. Por eso se emplea, entre otras cosas, como recubrimiento antirreflejante en celdas solares. Además, el ZnS tiene propiedades luminiscentes, es decir, puede emitir luz al recibir energía, lo que le permite ser usado en pantallas electrónicas, lámparas fluorescentes y dispositivos especiales para generar o detectar luz.En esta investigación se estudiaron películas delgadas (capas muy finas) de ZnS fabricadas sobre vidrio mediante un proceso llamado sol-gel con recubrimiento por inmersión, al que se le añadieron impurezas controladas de cadmio (Cd²⁺) y plata (Ag⁺) para modificar sus propiedades ópticas y de superficie. Estas películas se caracterizaron usando técnicas como microscopía electrónica y espectroscopía, que permiten ver su estructura, composición y cómo interactúan con la luz. Los resultados mostraron que las películas puras contenían algo de óxido de zinc (ZnO) por la forma en que fueron tratadas, mientras que con Cd y Ag las partículas crecieron y se agruparon. También se observó que la presencia de plata generaba nuevas bandas de absorción de luz, algo que no ocurrió con el cadmio. Se comprobó que es posible fabricar películas de ZnS puras y dopadas con Cd o Ag por este método, pero se recomienda optimizar el proceso, por ejemplo, usando atmósferas sin oxígeno, para mejorar la calidad y el control de las impurezas. Esto abre la puerta a futuras aplicaciones en tecnología óptica, celdas solares y dispositivos luminiscentes.
dc.identifier.bibrecordIQ2006 P4 E4
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/29728
dc.language.isospa
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesrestrictedAccess
dc.subject.lccIngeniería química—Procesos de recubrimiento—Técnicas sol gel—Recubrimiento por inmersión en materiales inorgánicos—Materiales semiconductores—Sulfuro de zinc— Propiedades estructurales y energéticas.
dc.subject.lccNanotecnología—Materiales avanzados—Propiedades ópticas—luminiscentes—Cadmio—Plata.
dc.subject.lccTécnicas de caracterización—Microscopía electrónica—Espectroscopía.
dc.thesis.careerLicenciatura en Ingeniería Química
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ingeniería Química
dc.thesis.degreetoobtainIngeniero (a) Químico (a)
dc.titleEfecto de las impurezas de "Cd+2" y "Ag+1" en las películas delgadas de ZnS Despositadas por el sol-gel.
dc.typeTesis de licenciatura
dc.type.degreeLicenciatura
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