Desarrollo y caracterización de una unión PN de antimoniuro de Galio realizada por epitaxia en fase líquida
Date
2009
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
Desarrollo y caracterización de una unión PN de antimoniuro de galio (GaSb), semiconductor de la familia III-V, mediante epitaxia en fase líquida, orientada a aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos. La caracterización se realizó mediante difracción de rayos X de alta resolución (HRXRD), fotoluminiscencia (PL) y mediciones de corriente-voltaje (I-V). Los resultados evidencian la formación de películas de escala micrométrica con adecuada morfología superficial y alta calidad cristalina, además de emisiones en el rango infrarrojo asociadas al material GaSb y a defectos nativos. Las curvas I-V confirman el comportamiento característico de la unión PN y permiten obtener parámetros eléctricos mediante el ajuste al modelo matemático del diodo. Los resultados proporcionan referencias experimentales para el desarrollo de futuras uniones semiconductoras basadas en materiales III-V.