Influencia del tipo de conductividad del substrato en la razon de crecimiento de capas epitaxiales por la tecnica LPE de GaAs/GaAs
Date
2003
Authors
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
En una publicación reciente que se refiere a los aspectos históricos de la tecnologia de crecimiento de cristales manifiesta su preocupación, entre otras cosas, que las numerosas revistas, talleres y conferencias especializadas son evidencias para la separación y desdoblamiento de un trabajo común, en cuanto al crecimiento de cristales se refiere. Abunda que las consecuencias son pérdidas de un lenguaje común, entendimiento y educación reducida de aspectos fundamentales sobre la Epitaxia y crecimiento de cristales, así como el uso de técnicas y equipo de crecimiento extraordinariamente caras en lugar de técnicas económicas que frecuentemente pueden dar mejores resultados en la calidad cristalina. Sigue insistiendo que se ha hecho gran esfuerzo en el desarrollo de mediciones sofisticadas sobre capas de baja calidad, por ejemplo, en lugar de primero desarrollar muestras de alta calidad por la optimización de procesos de crecimiento. Así mismo, como un ejemplo, menciona a los superconductores, que alrededor de ellos trabajan alrededor de mil grupos que trataron numerosas técnicas epitaxiales desde la fase gaseosa para obtener capas de alta calidad. Sin embargo, explica que para los crecedores de cristales experimentados esta claro que para los cupratos con estabilidad termodinámica limitada solo procesos cercanos al equilibrio como la Epitaxia en Fase Liquida pueden dar capas perfectas y estructuralmente compactas y con superficies atómicamente planas. Es en este marco de referencia que se inscribe el desarrollo de la presente tesis, es decir, el objetivo fundamental es crecer capas de GaAs sobre substratos de distinta conductividad y haciendo barridos de temperatura que van desde 800°C hasta 600°C con objeto de aportar datos experimentales para que, en un futuro próximo se pueda esclarecer el porque la razón de crecimiento es mayor en substratos tipo P seguido de los substratos tipo n y en último los substratos tipo semi-aislante, situación que recientemente se ha reportado [2] Por consiguiente, en el primer capítulo se revisan algunos artículos que tienen que ver con la razón de crecimiento, objetivo fundamental de la presente tesis. A continuación, en el capitulo dos se hace una breve revisión de los fundamentos en relación al crecimiento de las capas epitaxiales por la técnica de epitaxia en fase liquida. De la misma manera en el capítulo tres describimos el proceso experimental para obtener capas que en el capítulo cuatro se estudiarán. En este capítulo se analiza lo más relevante de los aspectos morfológicos. Además, se efectúa un estudio de los espesores de las capas obtenidas sobre substratos con conductividad n, semi-aislante (s) y p a través de las correspondientes gráficas experimentales. Finalmente, se hace una breve discusión sobre los resultados obtenidos y una lista de las conclusiones más relevantes.