Propiedades electrónicas de semiconductores III-V con estructura de zincblenda bajo los efectos de la deformación de la red: aplicaciones al estudio de los estados de conducción en heteroestructuras cuánticas

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dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorMora Ramos, Miguel Eduardo
dc.contributorCartas Fuentevilla, Roberto
dc.contributor.advisorMORA RAMOS, MIGUEL EDUARDO; 21038
dc.contributor.advisorCARTAS FUENTEVILLA, ROBERTO; 16034
dc.contributor.authorMozo Vargas, José Juan Martín
dc.date.accessioned2022-06-21T16:45:45Z
dc.date.available2022-06-21T16:45:45Z
dc.date.issued2021-11
dc.description.abstract"En esta tesis se investiga el efecto de la deformación de la red cristalina en las propiedades electrónicas de semiconductores cúbicos III-V que se utilizan típicamente para fabricar heteroestructuras de baja dimensión. A partir de este estudio, es posible derivar la dependencia con la deformación biaxial de los principales parámetros de entrada utiliza dos en la evaluación teórica de los estados de la banda de conducción en pozos cuánticos deformados dentro de la aproximación de masa efectiva. En particular, nuestro interés se centra en la situación en la que las regiones activas de los pozos cuánticos están sujetas a deformación por compresión".es_MX
dc.folio20211203084543-4547-Tes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator1es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/15961
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator218570802es_MX
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Pueblaes_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAes_MX
dc.subject.lccHeteroestructuras--Investigaciónes_MX
dc.subject.lccFísica del estado sólidoes_MX
dc.subject.lccRedes cristalinases_MX
dc.subject.lccFuncionales de densidades_MX
dc.subject.lccPozos cuánticoses_MX
dc.thesis.careerDoctorado en Ciencias (Física)es_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Física "Ing. Luis Rivera Terrazas"es_MX
dc.thesis.degreetoobtainDoctor (a) en Ciencias (Física)es_MX
dc.titlePropiedades electrónicas de semiconductores III-V con estructura de zincblenda bajo los efectos de la deformación de la red: aplicaciones al estudio de los estados de conducción en heteroestructuras cuánticases_MX
dc.typeTesis de doctoradoes_MX
dc.type.conacytdoctoralThesises_MX
dc.type.degreeDoctoradoes_MX
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