Caracterización térmica del GaGeTe y térmica eléctrica de Bi4 Ti3 O12 mediante los métodos de espectroscopía fotoacústica, relajación térmica y decaimiento de potencial superficial
| dc.audience | generalPublic | |
| dc.contributor.advisor | López Cruz, José Elías | |
| dc.contributor.author | Castillo Velázquez, José Ignacio | |
| dc.contributor.committee | López Cruz, José Elías | |
| dc.contributor.committee | Juarez Santiesteban, Héctor | |
| dc.contributor.committee | Martínez Montes, Carlos | |
| dc.contributor.committee | Fuenlabrada Prieto, Arturo | |
| dc.coverage.place | Tesiteca, Biblioteca Central 3er. piso | |
| dc.date.accessioned | 2026-06-23T18:17:04Z | |
| dc.date.available | 2026-06-23T18:17:04Z | |
| dc.date.issued | 1998-01 | |
| dc.description.abstract | Para la caracterización de materiales se cuenta con varias técnicas, pero deben aplicarse las más adecuadas a cada tipo de material y también dependerá de la propiedad que se desea medir directa o indirectamente. Algunas técnicas pueden aplicarse a varios materiales, ya sean aislantes, vidrios, cerámicas, electretos, semiconductores, inclusive a los conductores. En el presente trabajo se ha elegido caracterizar un material semiconductor como el GaGeTe y un ferroeléctrico por sus potenciales aplicaciones. Por lo anterior el trabajo se desarrolla de la siguiente manera: El capítulo 1 presenta cómo la espectroscopía fotoacústica nos permite obtener la difusividad térmica de los materiales en cuestión. También se indica cómo obtener el valor de la capacidad calorífica por unidad de volumen por el método de relajación térmica y por último acerca de la obtención de la resistividad de un dieléctrico por medio del método de decaimiento de voltaje superficial. En el capítulo 2 se describe el arreglo experimental para cada una de las técnicas citadas y se explican con mayor detalle los materiales utilizados, así como sus aplicaciones. En el capítulo 3 se muestran los resultados para el GaGeTe y Bi4 Ti3 O12. Finalmente se presentan las conclusiones de este trabajo en el capítulo 4. | |
| dc.identifier.bibrecord | LELE1998 C3 C3 | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12371/33140 | |
| dc.language.iso | spa | |
| dc.publisher | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla | |
| dc.rights.acces | restrictedAccess | |
| dc.subject.lcc | Ingeniería nuclear—Electrónica—Aparatos y materiales—Semiconductores —Electrostática—Electricidad por fricción—Ferroelectricidad—Análisis térmico | |
| dc.subject.lcc | Constitución y propiedades de la materia—Sólidos—Física del estado sólido—Luz—Espectroscopia—Dieléctricos —Acabado de metales y tratamiento de superficies | |
| dc.subject.lcc | Metalurgia de los metales no ferrosos —Termoelectricidad aplicada | |
| dc.thesis.career | Licenciatura en Ciencias de la Electrónica (aparece lic. en electrónica) | |
| dc.thesis.degreediscipline | Área de Ingeniería y Ciencias Exactas | |
| dc.thesis.degreegrantor | Facultad de Ciencias de la Electrónica | |
| dc.thesis.degreetoobtain | Licenciado (a) en Electrónica | |
| dc.title | Caracterización térmica del GaGeTe y térmica eléctrica de Bi4 Ti3 O12 mediante los métodos de espectroscopía fotoacústica, relajación térmica y decaimiento de potencial superficial | |
| dc.type | Tesis de licenciatura | |
| dc.type.degree | Licenciatura |