Formación de nanoestructuras de Al sobre la superficie (111) del GaN

Simple item page
dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorCamacho García, José Humberto
dc.contributorHernández Cocoletzi, Gregorio
dc.contributor.advisorCAMACHO GARCIA, JOSE HUMBERTO; 226426
dc.contributor.advisorHERNANDEZ COCOLETZI, GREGORIO; 5338
dc.contributor.authorMoreno Hernández, Juan Carlos
dc.date.accessioned2020-09-30T19:05:47Z
dc.date.available2020-09-30T19:05:47Z
dc.date.issued2018-07
dc.description.abstract“En este trabajo se presentó un estudio de la formación de nanoestructuras de Al sobre la superficie (111) del GaN. Para desarrollar dicho estudio se empleó la teoría funcional de la densidad (DFT, por sus siglas en inglés) utilizando la aproximación del gradiente generalizado y ocupando el código PW-scf de la paquetería Quantum Expresso. Se consideró la adsorción e incorporación de los átomos de Al sobre una superficie de GaN con periodicidad (2 x 2) para la formación de las nanoestructuras. Los átomos de Al fueron depositados en los 4 sitios de alta simetría: H3, T4, Top y Bridge. El número de átomos depositados fueron ¼ y una monocapa completa de Al para determinar las configuraciones de las nanoestructuras mas estables. Para conocer la estabilidad de dichas configuraciones se calcularon las energías de formación de superficie de cada estructura. Los resultados mostraron que el sitio T4 es el más estable cuando ¼ de monocapa de Al es adsorbido con un valor de -0.23 eV, mientras que cuando una monocapa completa de Al es adsorbida el sitio Top es el más estable con una energía de -0.32 eV”.es_MX
dc.folio447918TLes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator7es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/8064
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator201220816es_MX
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Pueblaes_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍAes_MX
dc.subject.lccSemiconductores--Investigaciónes_MX
dc.subject.lccSemiconductores--Materialeses_MX
dc.subject.lccMateriales nanoestructuradoses_MX
dc.subject.lccNanoestructuras--Propiedades eléctricas--Investigaciónes_MX
dc.subject.lccAluminioes_MX
dc.subject.lccNitruro de galioes_MX
dc.thesis.careerLicenciatura en Ingeniería en Materialeses_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ingeniería Químicaes_MX
dc.thesis.degreetoobtainIngeniero (a) en Materialeses_MX
dc.titleFormación de nanoestructuras de Al sobre la superficie (111) del GaNes_MX
dc.typeTesis de licenciaturaes_MX
dc.type.conacytbachelorThesises_MX
dc.type.degreeLicenciaturaes_MX
Files
Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
447918TL.pdf
Size:
2.21 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download
Collections
Tesis de Licenciatura