Optimización de la banda prohibida de Cu(In,Ga)Se2 en película delgada mediante selenización
Date
2021-06
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“La literatura reporta eficiencias de conversión en celdas solares mayores al 23% para el Cu (In,Ga)Se2 en película delgada depositada por la técnica de evaporación térmica. En este trabajo se propuso como alternativa a la evaporación térmica el uso de electro depósito (ED) para preparar películas delgadas de CIGS por ser una técnica de mayor accesibilidad y bajo costo. Se presenta la síntesis, formación y crecimiento de películas delgadas de CuIn1−xGaxSe2 obtenidas por ED, as ́ı como un estudio sistemático sobre la sintonización de la banda prohibida. La sintonización de la banda prohibida de CuIn1−xGaxSe2 en película delgada se logró realizando variaciones en las concentraciones de In3+ y Ga3+ en el baño electrolítico. El valor de banda prohibida de CIGS se logró ́ por la sustitución parcial de In por Ga en la película en crecimiento en un rango de 1 a 1.4 eV, correspondiente a una razón de Ga de 0 ≤ Ga/(In + Ga) ≤ 0.64. Se realizaron estudios de voltametría cíclica para la disolución electrolítica del sistema Cu - In - Ga - Se con la finalidad de encontrarlos potenciales de depósito para cada concentración molar”.
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