Obtención y caracterización de películas de ZnO depositadas por rocío pirolítico ultrasónico para su aplicación en detectores fotoconductivos
dc.audience | generalPublic | es_MX |
dc.contributor | Alcántara Iniesta, Salvador | |
dc.contributor | Alvarado Pulido, José Joaquín | |
dc.contributor.advisor | ALCANTARA INIESTA, SALVADOR; 68119 | |
dc.contributor.advisor | ALVARADO PULIDO, JOSE JOAQUIN; 43237 | |
dc.contributor.author | Acosta Osorno, Mario Alberto | |
dc.creator | ACOSTA OSORNO, MARIO ALBERTO; 514232 | |
dc.date.accessioned | 2021-02-24T04:42:03Z | |
dc.date.available | 2021-02-24T04:42:03Z | |
dc.date.issued | 2020-06 | |
dc.description.abstract | “El óxido de zinc (ZnO) es un material semiconductor que, a pesar de que ha sido estudiado desde hace varios años, recientemente ha llamado la atención de los investigadores por sus propiedades ópticas, eléctricas, mecánicas, estabilidad química, así como su compatibilidad con sustratos flexibles y de vidrio. Entre las propiedades más interesantes están: 1) el hecho de poseer un ancho de banda prohibido directo de 3.4 eV, 2) tener una conductividad intrínseca tipo n, 3) cristalizar, bajo condiciones de equilibrio, en forma hexagonal tipo wurtzita, 4) tener un alto punto de fusión (∼ 1900 oC), y 5) presenta propiedades piezoeléctricas. Lo anterior, convierte al ZnO en un material útil para la fabricación de sensores, transistores, dispositivos opto electrónicos y como óxido conductor transparente en celdas solares, pantallas de cristal líquido, espejos de calor y multicapas de sistemas de conversión. Además de sus múltiples cualidades, el ZnO se ha vuelto foco de investigación en los últimosaños, debido a la posibilidad de obtenerlo en forma cristalina a bajas temperaturas (en comparacióncon el silicio) y en algunos casos se ha obtenido incluso a temperatura ambiente, lo cual permite sudepósito sobre sustratos como vidrio o plástico.” | es_MX |
dc.folio | 20200817141041-5443-T | es_MX |
dc.format | es_MX | |
dc.identificator | 1 | es_MX |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12371/11314 | |
dc.language.iso | spa | es_MX |
dc.matricula.creator | 216570126 | es_MX |
dc.rights.acces | openAccess | es_MX |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 | es_MX |
dc.subject.classification | CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA | es_MX |
dc.subject.dbgunam | Óxido de zinc--Usos y aplicaciones | es_MX |
dc.subject.lcc | Radiación ultravioleta | es_MX |
dc.subject.oclc | Detectores ópticos | es_MX |
dc.subject.oclc | Pirólisis | es_MX |
dc.thesis.career | Doctorado en Dispositivos Semiconductores | es_MX |
dc.thesis.degreediscipline | Área de Ingeniería y Ciencias Exactas | es_MX |
dc.thesis.degreegrantor | Instituto de Ciencias | es_MX |
dc.thesis.degreetoobtain | Doctor(a) en Dispositivos Semiconductores | es_MX |
dc.title | Obtención y caracterización de películas de ZnO depositadas por rocío pirolítico ultrasónico para su aplicación en detectores fotoconductivos | es_MX |
dc.type | Tesis de doctorado | es_MX |
dc.type.conacyt | doctoralThesis | es_MX |
dc.type.degree | Doctorado | es_MX |
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