Dependencia con la temperatura de la polarización de fotoluminiscencia de aleaciones Gax In1-xP crecidas por el método de MOVPE

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributorPrutskij, Tatiana
dc.contributor.advisorPRUTSKIJ ALEKSEEVA, TATIANA; 14529
dc.contributor.authorMiranda Díaz, José Eduardo
dc.date.accessioned2024-11-27T15:58:07Z
dc.date.available2024-11-27T15:58:07Z
dc.date.issued2019-12
dc.description.abstract"En este trabajo de investigación se estudia la dependencia con la temperatura de la emisión de fotoluminiscencia de 3 películas epitaxiales de Gax In1-xP crecidas en el mismo proceso de MOVPE sobre sustratos de GaAs con distintas orientaciones cristalinas. Los espectros de emisión fueron medidos en el Centro de Fisicoquímica de Materiales del Instituto de Ciencias de la Benemérita Universidad Autónoma de Puebla (BUAP) utilizando una instalación típica de Fotoluminiscencia. Dentro de este estudio fueron analizados espectros de emisión de fotoluminiscencia, la polarización de esta emisión, la dependencia con la temperatura, entre otras cosas. Se analizaron los espectros medidos y los resultados fueron comparados con cálculos realizados por un programa hecho para estudiar la polarización de la emisión de fotoluminiscencia de películas epitaxiales".
dc.folio3420TL
dc.formatpdf
dc.identificator7
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/22757
dc.language.isospa
dc.matricula.creator201419921
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.lccElectrónica--Dispositivos para la producción de electricidad por conversión directa de energía--Células solares
dc.subject.lccIngeniería eléctrica--Electrónica--Aparatos y materiales--Semiconductores
dc.subject.lccSemiconductores--Diseño y construcción--Métodos
dc.subject.lccFotoluminiscencia--Medición
dc.thesis.careerLicenciatura en Ciencias de la Electrónica (aparece lic. en electrónica)
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ciencias de la Electrónica
dc.thesis.degreetoobtainLicenciado (a) en Electrónica
dc.titleDependencia con la temperatura de la polarización de fotoluminiscencia de aleaciones Gax In1-xP crecidas por el método de MOVPE
dc.typeTesis de licenciatura
dc.type.conacytbachelorThesis
dc.type.degreeLicenciatura
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