Estudio óptico-estructural de películas de sicxoy sometidas a tratamientos térmicos

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dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorCoyopol Solís, Antonio
dc.contributorVásquez Agustín, Marco Antonio
dc.contributor.advisorCOYOPOL SOLIS, ANTONIO; 218687
dc.contributor.advisorVásquez Agustín, Marco Antonio; 173445
dc.contributor.authorPérez Trinidad, Juan Carlos
dc.creatorPEREZ TRINIDAD, JUAN CARLOS; 877301
dc.date.accessioned2021-03-17T17:51:54Z
dc.date.available2021-03-17T17:51:54Z
dc.date.issued2021-01
dc.description.abstract“Actualmente el silicio es la base de la industria microelectrónica. Aun así, su uso para el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos se ha limitado a celdas solares y fotodetectores. El grupo de semiconductores III-V son los materiales más utilizados para el desarrollo de dispositivos emisores de luz. Sin embargo, la tecnología de silicio está bastante desarrollada y estudiada, por lo que el uso de materiales a base de silicio podría significar ventajas importantes para el desarrollo de estos dispositivos emisores de luz. Con ello se pretende integrar en un futuro dispositivos optoelectrónicos con tecnologías desarrolladas a bajo costo, esto como una solución a la gran demanda de niveles extremos de integración que se genera con el avance de la tecnología, promoviendo una miniaturización de dispositivos microelectrónicos. Dicha integración a gran escala está llegando a su límite, provocando la formación de capacitancias parasitas las cuales reducen la velocidad de respuesta del dispositivo. Además, se presenta el calentamiento de los dispositivos ya que el consumo de potencia para su funcionamiento incrementa, provocando un aumento de temperatura en el dispositivo, esto ocasiona el calentamiento de pequeñas líneas situadas sobre el sustrato de silicio que funcionan como líneas de transmisión de información, afectando de este modo su desempeño”es_MX
dc.folio20210111171710-1350-TLes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator7es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/11708
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator201452916es_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍAes_MX
dc.subject.lccMicroelectronica--Industriaes_MX
dc.subject.lccCompuestos de silicioes_MX
dc.subject.lccDispositivos optoelectrónicoses_MX
dc.subject.lccSemiconductoreses_MX
dc.thesis.careerLicenciatura en Ciencias de la Electrónica (aparece lic. en electrónica)es_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ciencias de la Electrónicaes_MX
dc.thesis.degreetoobtainLicenciado (a) en Electrónicaes_MX
dc.titleEstudio óptico-estructural de películas de sicxoy sometidas a tratamientos térmicoses_MX
dc.typeTesis de licenciaturaes_MX
dc.type.conacytbachelorThesises_MX
dc.type.degreeLicenciaturaes_MX
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