Diseño de un amplificador de transconductancia basado en pares diferenciales complementarios
| dc.audience | generalPublic | |
| dc.contributor.advisor | Salinas Cruz, Roman | |
| dc.contributor.author | Olivera Romero, Genaro | |
| dc.contributor.committee | García Delgado, José Joel | |
| dc.contributor.committee | Tlelo Cuautle, Esteban | |
| dc.contributor.committee | Maya Ramírez, Rordrigo | |
| dc.coverage.place | Tesiteca, Biblioteca Central 3er. piso | |
| dc.date.accessioned | 2026-09-29T16:26:58Z | |
| dc.date.available | 2026-09-29T16:26:58Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.description.abstract | "La tecnología CMOS ofrece la ventaja de alta densidad de integración con un consumo de potencia menor que los dispositivos BJT. La tecnología utilizada por lo tanto, es justificada por el desempeño del circuito. El desempeño en circuitos de aplicación para altas frecuencias como capacitores conmutados (SC) y algunos convertidores de datos está determinado por las características de los amplificadores operacionales. La velocidad y precisión son dos de los más importantes requisitos que deben cumplir los circuitos analógicos. En una gran variedad de circuitos analógicos CMOS como filtros de condensadores conmutados [4], convertidores A/D [1,5,6], convertidores D/A [2,5,6], convertidores Sigma-Delta [5], amplificadores y convertidores A/D pipeline [3], la velocidad y precisión están determinadas por la respuesta al escalón del amplificador operacional. En general, el desempeño de circuitos de altas frecuencias es determinado por la tecnología, topología del amplificador y la topología del sistema. Un diseño analógico a nivel submicrométrico ofrece un mejor desempeño y consumo de potencia. Las características del dispositivo llegan a ser más sensibles a las variaciones en la longitud del canal, complicando un poco la tarea en el diseño, además aumentando los efectos de las variaciones del proceso y mismatch del dispositivo [8]. El comportamiento del dispositivo a nivel submicrométrico es dificil de modelar de manera precisa, las descripciones analíticas utilizadas para la simulación de circuitos introducirá errores en el diseño [8]. Estos efectos no son considerados en detalle en este trabajo ya que usaremos tecnologías de 0.8 micras." | |
| dc.format | unknown | |
| dc.identifier.bibrecord | LELE2001O4D5 | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12371/33864 | |
| dc.language.iso | spa | |
| dc.publisher | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla | |
| dc.rights.acces | restrictedAccess | |
| dc.subject.lcc | Circuitos integrados--Amplificadores de transconductancia--Pares diferenciales complementarios--Tecnología CMOS--Circuitos analógicos--Diseño de circuitos integrados--Amplificadores operacionales | |
| dc.thesis.career | Licenciatura en Ciencias de la Electrónica (aparece lic. en electrónica) | |
| dc.thesis.degreediscipline | Área de Ingeniería y Ciencias Exactas | |
| dc.thesis.degreegrantor | Facultad de Ciencias de la Electrónica | |
| dc.thesis.degreetoobtain | Licenciado (a) en Electrónica | |
| dc.title | Diseño de un amplificador de transconductancia basado en pares diferenciales complementarios | |
| dc.type | Tesis de licenciatura | |
| dc.type.degree | Licenciatura |