Estudio de los diagramas de fase de la aleación cuaternaria LnₓGa₁-ₓAsᵧSb₁-ᵧ
Date
1999
Authors
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
La presente investigación se enfoca en el estudio termodinámico y la modelación de los diagramas de fase para la aleación semiconductora cuaternaria LnₓGa₁₋ₓAsᵧSb₁₋ᵧ, un compuesto del grupo III-V acoplado a sustratos de GaSb e InAs. En el campo de las comunicaciones fotónicas y la optoelectrónica, este material resulta clave para el diseño de fuentes de emisión, fotodetectores y láseres de doble heteroestructura que operan en el espectro del infrarrojo medio, cubriendo longitudes de onda estratégicas entre 1.7 µm y 2.55 µm.
El objetivo primordial consiste en predecir y optimizar las condiciones de crecimiento cristalino mediante la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL) a bajas temperaturas (menores a 500 °C e incluso hasta 350 °C). Este régimen térmico favorece una calidad estructural superior y permite sortear la brecha de miscibilidad presente en la fase sólida a temperaturas superiores a los 700 °C.
A partir de los modelos termodinámicos de la solución regular y la solución simple, el trabajo desarrolla y resuelve numéricamente el sistema de ecuaciones trascendentales del liquidus explícito empleando el programa MATHCAD 8.0. La estructura capitular abarca la revisión teórica de los modelos, la formulación matemática de las soluciones y el barrido paramétrico de las fracciones atómicas de indio y de los elementos del grupo V. Con ello, la tesis establece una guía predictiva indispensable para determinar los parámetros óptimos de síntesis de dispositivos optoelectrónicos de alta eficienci