Browsing by Author "Pedraza Chan, Imelda Antonia"

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  • Tesis de doctorado
    Estudio óptico y estructural de películas de oxicarburo de silicio (SiCxOy) y su aplicación en estructuras MIS con respuesta de conmutación resistiva
    (Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 2026-03-06) Pedraza Chan, Imelda Antonia; Pedraza Chan, Imelda Antonia; 0009-0000-6264-1928; Coyopol Solís, Antonio; 0000-0001-5498-5640; García Salgado, Godofredo; 0000-0002-5276-5641; Morales Sánchez, Alfredo; 0000-0003-3656-2497
    "El estudio de materiales a base de silicio continúa siendo un área de investigación activa en la actualidad. Sin embargo, el uso de materiales como el SiCxOy depositado bajo la técnica HFCVD no ha sido explorado, principalmente para aplicaciones en dispositivos de conmutación resistiva. De acuerdo con recientes investigaciones, el estudio del SiCxOy se ha centrado principalmente en sus propiedades de fotoluminiscencia (con longitudes de onda que van desde 370 a 720 nm), sus propiedades térmicas y su comportamiento bajo diferentes atmósferas de tratamiento térmico. No obstante, la evaluación de este material como dispositivo MIS (Metal - dieléctrico - Semiconductor) no ha sido explorado, lo cual representa una brecha de oportunidad para su investigación. Lo anterior se fundamenta en las propiedades ópticas y eléctricas modulables que posee el SiCxOy, características que lo posicionan como un material prometedor para el desarrollo de memorias resistivas no volátiles de bajo consumo energético (RRAM). Esta aplicación se alinea con las tendencias actuales de la microelectrónica de potencia y computación neuromórfica, basadas en tecnologías compatibles con CMOS".
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    Tesis de maestría
    Preparación y caracterización de películas de SiOC: Eu para su posible aplicación en dispositivos electroluminiscentes
    (Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 2021-01) Pedraza Chan, Imelda Antonia; PEDRAZA CHAN, IMELDA ANTONIA; 290317; MORALES RUIZ, CRISOFORO; 161275; ROSENDO ANDRES, ENRIQUE; 22044
    "Esta tesis nace con el interés de obtener materiales emisores de luz a base de silicio como es el SiOC que puede presentar mejoras en sus propiedades fotoluminiscentes, ya que se han realizado investigaciones para entender y optimizar sus propiedades estructurales y ópticas. El SiOC generalmente presenta una fuerte emisión de luz blanca cuando se excita con luz azul y es registrada como una matriz huésped prometedora en la que un incremento en la cantidad de defectos en el material y la incorporación de átomos de impurezas como iones de tierras raras, incrementaría sus propiedades de emisión y de conducción. El fenómeno de confinamiento cuántico que puede presentar el material al momento de introducir nano cristales de silicio en la matriz del oxicarburo de silicio provocaría un mayor incremento en estas dos propiedades. Esta tesis presenta la obtención de películas delgadas de oxicarburo de silicio SiCO dopados con Europio mediante la técnica de depósito HWCVD utilizando el TEOS y el SBA-15 como materiales precursores, donde el SBA-15 se impregnó con una solución de ion europio a las concentraciones de 0.05, 0.11, 0.22 y 0.33%. Los depósitos fueron llevados a cabo a las temperaturas de operación y a las temperaturas de 300°C y 500°C".