Estudio óptico y estructural de películas de oxicarburo de silicio (SiCxOy) y su aplicación en estructuras MIS con respuesta de conmutación resistiva
Date
2026-03-06
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
"El estudio de materiales a base de silicio continúa siendo un área de investigación activa en la actualidad. Sin embargo, el uso de materiales como el SiCxOy depositado bajo la técnica HFCVD no ha sido explorado, principalmente para aplicaciones en dispositivos de conmutación resistiva. De acuerdo con recientes investigaciones, el estudio del SiCxOy se ha centrado principalmente en sus propiedades de fotoluminiscencia (con longitudes de onda que van desde 370 a 720 nm), sus propiedades térmicas y su comportamiento bajo diferentes atmósferas de tratamiento térmico. No obstante, la evaluación de este material como dispositivo MIS (Metal - dieléctrico - Semiconductor) no ha sido explorado, lo cual representa una brecha de oportunidad para su investigación. Lo anterior se fundamenta en las propiedades ópticas y eléctricas modulables que posee el SiCxOy, características que lo posicionan como un material prometedor para el desarrollo de memorias resistivas no volátiles de bajo consumo energético (RRAM). Esta aplicación se alinea con las tendencias actuales de la microelectrónica de potencia y computación neuromórfica, basadas en tecnologías compatibles con CMOS".
Description
Keywords
Citation
Collections
Document Viewer
Select a file to preview:
Can't see the file? Try reloading