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dc.contributorGarcía Salgado, Godofredo
dc.contributorCarrillo López, Jesús
dc.contributor.advisorGARCIA SALGADO, GODOFREDO; 122938
dc.contributor.advisorCARRILLO LOPEZ, JESUS; 5242
dc.contributor.authorJiménez Vivanco, María del Rayo
dc.creatorJIMENEZ VIVANCO, MARIA DEL RAYO; 549825
dc.date.accessioned2021-01-22T05:37:02Z
dc.date.available2021-01-22T05:37:02Z
dc.date.issued2020-07
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/10137
dc.description.abstract“Durante la última década, las propiedades que posee el silicio poroso (SP) se han convertido en un área muy interesante de investigación, este material fue descubierto por Arthur Uhlir en 1956 en los laboratorios Bell, como una variante del electropulido de silicio cristalino (Si-c) 1, atrajo poco interés científico hasta que Canham en 1990 demostró sus propiedades fotoluminiscentes a temperatura ambiente en la región visible del espectro electromagnético2. En 1994 Vincent demostró que el índice de refracción del SP podría ser sintonizado fácilmente durante su fabricación para producir cristales fotónicos unidimensionales3. Un cristal es una disposición periódica de átomos o moléculas, se forma cuando un elemento básico de la estructura se repite en el espacio ordenado y periódicamente. A causa de esta ordenación, un cristal presenta un potencial periódico para la propagación de electrones a través suyo, y es precisamente esta geometría periódica que determina parte de las propiedades conductivas del material.”es_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.language.isospaes_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAes_MX
dc.subject.lccCristales fotónicoses_MX
dc.subject.lccÓptica físicaes_MX
dc.titleFotodetector de InGaN, sintonizado con filtros autosostenidos de Si-SiO2 en el UVes_MX
dc.typeTesis de doctoradoes_MX
dc.folio20200905173336-1292-Tes_MX
dc.identificator1es_MX
dc.type.conacytdoctoralThesises_MX
dc.type.degreeDoctoradoes_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Cienciases_MX
dc.thesis.careerDoctorado en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.subject.dbgunamMetales--Oxidación anódicaes_MX
dc.subject.dbgunamSilicio poroso--Propiedadeses_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.matricula.creator216570125es_MX
dc.thesis.degreetoobtainDoctor(a) en Dispositivos Semiconductoreses_MX


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