Estudio de una solución decapante para arseniuro de galio (GaAs) en sus diferentes direcciones cristalográficas
Date
2008
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
"El estudio se enfoca en la evaluación del comportamiento de una solución decapante específica aplicada al arseniuro de galio (GaAs), un semiconductor ampliamente utilizado en dispositivos optoelectrónicos y de microelectrónica. Se analiza cómo varía la eficacia del decapado en función de las diferentes direcciones cristalográficas del material, considerando factores como la velocidad de ataque químico, la uniformidad de la superficie resultante y la selectividad del proceso. Esta investigación permite comprender mejor la interacción entre el decapante y las distintas orientaciones atómicas del GaAs, lo que es fundamental para optimizar procesos de limpieza, grabado húmedo y fabricación de estructuras a micro y nanoescala en la industria tecnológica."