Estudio de una solución decapante para arseniuro de galio (GaAs) en sus diferentes direcciones cristalográficas
| dc.audience | generalPublic | |
| dc.contributor.advisor | Rosendo Andrés, Enrique | |
| dc.contributor.advisor | Galeazzi Isasmendi, Reina | |
| dc.contributor.advisor | Díaz Becerril, Tomas | |
| dc.contributor.author | Alvarado García, José Alberto | |
| dc.coverage.place | Tesiteca, Biblioteca Central 3er. piso | |
| dc.date.accessioned | 2025-08-07T19:37:34Z | |
| dc.date.available | 2025-08-07T19:37:34Z | |
| dc.date.issued | 2008 | |
| dc.description.abstract | "El estudio se enfoca en la evaluación del comportamiento de una solución decapante específica aplicada al arseniuro de galio (GaAs), un semiconductor ampliamente utilizado en dispositivos optoelectrónicos y de microelectrónica. Se analiza cómo varía la eficacia del decapado en función de las diferentes direcciones cristalográficas del material, considerando factores como la velocidad de ataque químico, la uniformidad de la superficie resultante y la selectividad del proceso. Esta investigación permite comprender mejor la interacción entre el decapante y las distintas orientaciones atómicas del GaAs, lo que es fundamental para optimizar procesos de limpieza, grabado húmedo y fabricación de estructuras a micro y nanoescala en la industria tecnológica." | |
| dc.identifier.bibrecord | IQ2008 A4 E8 | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12371/29169 | |
| dc.language.iso | spa | |
| dc.publisher | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla | |
| dc.rights.acces | restrictedAccess | |
| dc.subject.lcc | Estructura y propiedades cristalinas--Interacciones superficie-material--Procesos de ataque químico y limpieza en procesos industriales | |
| dc.subject.lcc | Propiedades y comportamiento de materiales incluyendo semiconductores--Tecnología de semiconductores y dispositivos electrónicos | |
| dc.subject.lcc | Limpieza de semiconductores--Grabado húmedo--Fabricación micro y nanoescala--Industria tecnológica | |
| dc.thesis.career | Licenciatura en Ingeniería Química | |
| dc.thesis.degreediscipline | Área de Ingeniería y Ciencias Exactas | |
| dc.thesis.degreegrantor | Facultad de Ingeniería Química | |
| dc.thesis.degreetoobtain | Ingeniero (a) Químico (a) | |
| dc.title | Estudio de una solución decapante para arseniuro de galio (GaAs) en sus diferentes direcciones cristalográficas | |
| dc.type | Tesis de licenciatura | |
| dc.type.degree | Licenciatura |