Crecimiento epitaxial de peliculas de GaAs por la técnica CSVT utilizando vapor de H2O como reactivo
Abstract
El crecimiento epitaxial de películas de GaAs mediante la técnica de transporte en fase de vapor por sublimación (CSVT) utilizando vapor de H₂O como reactivo, es una alternativa eficiente para obtener capas de alta calidad cristalina. En este proceso, el vapor de agua actúa como agente transportador, facilitando la migración del material desde la fuente hasta el sustrato. La técnica permite controlar parámetros como la temperatura y el gradiente térmico para lograr un crecimiento uniforme. Este método es relevante para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos y componentes en tecnologías de semiconductores avanzados.