Crecimiento epitaxial de peliculas de GaAs por la técnica CSVT utilizando vapor de H2O como reactivo

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributor.advisorVital Vazquez, alejandro
dc.contributor.authorVelazquez Cruz, Evaristo Isac
dc.coverage.placeBiblioteca Central 3er. piso
dc.date.accessioned2025-05-23T23:09:19Z
dc.date.available2025-05-23T23:09:19Z
dc.date.issued1996
dc.description.abstractEl crecimiento epitaxial de películas de GaAs mediante la técnica de transporte en fase de vapor por sublimación (CSVT) utilizando vapor de H₂O como reactivo, es una alternativa eficiente para obtener capas de alta calidad cristalina. En este proceso, el vapor de agua actúa como agente transportador, facilitando la migración del material desde la fuente hasta el sustrato. La técnica permite controlar parámetros como la temperatura y el gradiente térmico para lograr un crecimiento uniforme. Este método es relevante para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos y componentes en tecnologías de semiconductores avanzados.
dc.identifier.bibrecordIQ1996 V4C7
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/28372
dc.language.isospa
dc.rights.accesrestrictedAccess
dc.subject.lccCiencia de materiales—Crecimiento epitaxial—Películas delgadas—GaAs
dc.subject.lccSemiconductores—Técnicas de deposición—Transportes en fase de vapor—CSV
dc.subject.lccFísica del estado sólido—Cristales compuestos—Galio arseniuro—Caracterización estructural
dc.thesis.careerLicenciatura en Ingeniería Química
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ingeniería Química
dc.thesis.degreetoobtainIngeniero (a) Químico (a)
dc.titleCrecimiento epitaxial de peliculas de GaAs por la técnica CSVT utilizando vapor de H2O como reactivo
dc.typeTesis de licenciatura
dc.type.degreeLicenciatura
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