Obtención de películas de GaN mediante nitruración con amoniaco de películas de GaAs y su caracterización
Date
2020-08
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"En este trabajo se estudió la nitruración de películas de Arseniuro de galio (GaAs), previamente depositadas por la técnica de transporte de vapor en espacio cerrado (CSVT por sus siglas en ingles). Inicialmente las películas de GaAs fueron crecidas en diferentes atmósferas (hidrogeno y nitrógeno) a tiempos (5 y 13 min), para observar que efecto tenía en éstas. Se determinó que las muestras obtenidas en una atmósfera de hidrogeno presentaban mejor calidad que aquellas crecidas en nitrógeno. Con estos resultados, se seleccionaron las muestras obtenidas en atmósfera de hidrogeno para su posterior nitruración. La obtención de Nitruro de Galio (GaN), se llevó a cabo en un sistema de depósito de vapor químico (CVD por sus siglas en inglés) usando una mezcla de flujos de amoniaco e hidrogeno. La nitruración se realizó a presión atmosférica, a una temperatura de 900°C durante 10, 20 y 30 minutos. Los resultados de difracción de rayos-X (DRX) determinaron que el proceso de nitruración durante 30 min, es suficiente para observar los picos de GaN y desvanecer las reflexiones de GaAs."
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