Obtención de películas de GaN mediante nitruración con amoniaco de películas de GaAs y su caracterización

Simple item page
dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorGarcía Salgado, Godofredo
dc.contributorLuna López, José Alberto
dc.contributorGarcía Gutiérrez, Rafael
dc.contributor.advisorGARCIA SALGADO, GODOFREDO; 122938
dc.contributor.advisorLUNA LOPEZ, JOSE ALBERTO; 200808
dc.contributor.advisorGARCIA GUTIERREZ, RAFAEL; 31079
dc.contributor.authorCruz Bueno, José De Jesús
dc.creatorCRUZ BUENO, JOSE DE JESUS; 490886
dc.date.accessioned2021-03-05T18:51:28Z
dc.date.available2021-03-05T18:51:28Z
dc.date.issued2020-08
dc.description.abstract"En este trabajo se estudió la nitruración de películas de Arseniuro de galio (GaAs), previamente depositadas por la técnica de transporte de vapor en espacio cerrado (CSVT por sus siglas en ingles). Inicialmente las películas de GaAs fueron crecidas en diferentes atmósferas (hidrogeno y nitrógeno) a tiempos (5 y 13 min), para observar que efecto tenía en éstas. Se determinó que las muestras obtenidas en una atmósfera de hidrogeno presentaban mejor calidad que aquellas crecidas en nitrógeno. Con estos resultados, se seleccionaron las muestras obtenidas en atmósfera de hidrogeno para su posterior nitruración. La obtención de Nitruro de Galio (GaN), se llevó a cabo en un sistema de depósito de vapor químico (CVD por sus siglas en inglés) usando una mezcla de flujos de amoniaco e hidrogeno. La nitruración se realizó a presión atmosférica, a una temperatura de 900°C durante 10, 20 y 30 minutos. Los resultados de difracción de rayos-X (DRX) determinaron que el proceso de nitruración durante 30 min, es suficiente para observar los picos de GaN y desvanecer las reflexiones de GaAs."es_MX
dc.folio20200831091111-4608-Tes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator1es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/11505
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator216570123es_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAes_MX
dc.subject.lccSemiconductores--Materialeses_MX
dc.subject.lccNitruraciónes_MX
dc.subject.lccArseniuro de galioes_MX
dc.subject.lccNitruro de galioes_MX
dc.subject.lccDeposición química de vapores_MX
dc.subject.lccPresión atmosféricaes_MX
dc.thesis.careerDoctorado en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Cienciases_MX
dc.thesis.degreetoobtainDoctor(a) en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.titleObtención de películas de GaN mediante nitruración con amoniaco de películas de GaAs y su caracterizaciónes_MX
dc.typeTesis de doctoradoes_MX
dc.type.conacytdoctoralThesises_MX
dc.type.degreeDoctoradoes_MX
Files
Original bundle
Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
20200831091111-4608-T.pdf
Size:
1.65 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
Name:
20200831091111-4608-Carta.docx
Size:
206.13 KB
Format:
Microsoft Word XML
Description:
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download
Collections
Tesis de Doctorado