Estudio de estructuras multicapa de ZnO/Si para aplicaciones en dispositivos emisores de luz
Date
2018-03
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
“La industria de la optoelectrónica dio un salto enorme debido al descubrimiento de las propiedades que ofrecían algunos materiales semiconductores para el desarrollo de dispositivos emisores de luz, así como por el avance tecnológico en las técnicas utilizadas para su fabricación. Sin embargo, el costo elevado para la obtención de algunos materiales, la infraestructura requerida para su depósito y la deficiencia en las propiedades de algunos dispositivos ha originado la búsqueda de nuevas alternativas.
Uno de los materiales que más expectativas ha generado es el óxido de zinc (ZnO) debido a que posee un ancho de banda directo resultando en una alta probabilidad de transiciones radiativas.
Otro de los materiales que ha llamado la atención en emisión de luz es el silicio (Si) en dimensiones nanométricas, comúnmente a través de nanocristales de silicio (Si-NCs). Los Si-NCs presentan una intensa emisión de luz en diferentes longitudes de onda en el espectro visible cuando su tamaño varía entre 1.5 y 4 nm. En años recientes, ambos materiales (ZnO y Si-NCs) han sido ampliamente estudiados por su potencial uso en aplicaciones optoelectrónicas.”
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