Estudio de estructuras multicapa de ZnO/Si para aplicaciones en dispositivos emisores de luz

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dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorAmbrosio Lázaro, Roberto Carlos
dc.contributorMorales Morales, Francisco
dc.contributorMorales Sánchez, Alfredo
dc.contributor.advisorAMBROSIO LAZARO, ROBERO CARLOS; 36102
dc.contributor.advisorMORALES MORALES, FRANCISCO; 266515
dc.contributor.advisorMorales Sánchez, Alfredo; 102732
dc.contributor.authorGalindo Sarmiento, Francisco Javier
dc.date.accessioned2020-08-20T15:11:31Z
dc.date.available2020-08-20T15:11:31Z
dc.date.issued2018-03
dc.description.abstract“La industria de la optoelectrónica dio un salto enorme debido al descubrimiento de las propiedades que ofrecían algunos materiales semiconductores para el desarrollo de dispositivos emisores de luz, así como por el avance tecnológico en las técnicas utilizadas para su fabricación. Sin embargo, el costo elevado para la obtención de algunos materiales, la infraestructura requerida para su depósito y la deficiencia en las propiedades de algunos dispositivos ha originado la búsqueda de nuevas alternativas. Uno de los materiales que más expectativas ha generado es el óxido de zinc (ZnO) debido a que posee un ancho de banda directo resultando en una alta probabilidad de transiciones radiativas. Otro de los materiales que ha llamado la atención en emisión de luz es el silicio (Si) en dimensiones nanométricas, comúnmente a través de nanocristales de silicio (Si-NCs). Los Si-NCs presentan una intensa emisión de luz en diferentes longitudes de onda en el espectro visible cuando su tamaño varía entre 1.5 y 4 nm. En años recientes, ambos materiales (ZnO y Si-NCs) han sido ampliamente estudiados por su potencial uso en aplicaciones optoelectrónicas.”es_MX
dc.folio757018TLes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator7es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/7258
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator201008297es_MX
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Pueblaes_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍAes_MX
dc.subject.lccOptoelectrónica--Materiales--Investigaciónes_MX
dc.subject.lccSemiconductores--Materialeses_MX
dc.subject.lccPulverización catódica (Física)es_MX
dc.subject.lccÓxido de zinces_MX
dc.subject.lccCristales de silicioes_MX
dc.subject.lccPelículas delgadas en multicapa--Investigaciónes_MX
dc.subject.lccDiodos emisores de luzes_MX
dc.subject.lccFotoluminiscencia--Investigaciónes_MX
dc.subject.lccElectroluminiscencia--Investigaciónes_MX
dc.thesis.careerLicenciatura en Ciencias de la Electrónica (aparece lic. en electrónica)es_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ciencias de la Electrónicaes_MX
dc.thesis.degreetoobtainLicenciado (a) en Electrónicaes_MX
dc.titleEstudio de estructuras multicapa de ZnO/Si para aplicaciones en dispositivos emisores de luzes_MX
dc.typeTesis de licenciaturaes_MX
dc.type.conacytbachelorThesises_MX
dc.type.degreeLicenciaturaes_MX
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