Estudio de la concentración de portadores de capas epitaxiales de GaAs crecidas por la técnica de epitaxia en fase líquida
Date
2002
Authors
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Publisher
Benemérita Universidad Autonóma de Puebla
Abstract
Caracterización de capas epitaxiales de GaAs crecidas sobre sustratos tipo p y semiaislante mediante Epitaxia en Fase Líquida (EFL), considerando la influencia de la temperatura de crecimiento sobre la velocidad de crecimiento y la concentración de portadores. La caracterización contempla las técnicas de Efecto Hall y Reflectividad en el infrarrojo lejano, cuyos resultados permiten establecer una comparación entre los parámetros eléctricos y ópticos obtenidos. Los resultados muestran variaciones en la conductividad y concentración de portadores de las capas en función de la temperatura y del tipo de sustrato, además de establecer la factibilidad de emplear la técnica de Reflectividad como método complementario para la caracterización de GaAs.