Estudio de la concentración de portadores de capas epitaxiales de GaAs crecidas por la técnica de epitaxia en fase líquida

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributor.advisorOlvera Hernández Javier
dc.contributor.advisorMartínez Juárez Javier
dc.contributor.advisorSolís Burgoa Justo Esteban
dc.contributor.authorSoto Suárez Francisco Javier
dc.contributor.committeeAzucena Coyotecal Honorato
dc.contributor.committeeJuárez Santiesteban Héctor
dc.coverage.placeTesiteca Biblioteca Central 3er. piso
dc.date.accessioned2026-09-18T15:34:22Z
dc.date.available2026-09-18T15:34:22Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractCaracterización de capas epitaxiales de GaAs crecidas sobre sustratos tipo p y semiaislante mediante Epitaxia en Fase Líquida (EFL), considerando la influencia de la temperatura de crecimiento sobre la velocidad de crecimiento y la concentración de portadores. La caracterización contempla las técnicas de Efecto Hall y Reflectividad en el infrarrojo lejano, cuyos resultados permiten establecer una comparación entre los parámetros eléctricos y ópticos obtenidos. Los resultados muestran variaciones en la conductividad y concentración de portadores de las capas en función de la temperatura y del tipo de sustrato, además de establecer la factibilidad de emplear la técnica de Reflectividad como método complementario para la caracterización de GaAs.
dc.identifier.bibrecordLELE2002 S6 E8
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/33720
dc.language.isospa
dc.publisherBenemérita Universidad Autonóma de Puebla
dc.rights.accesrestrictedAccess
dc.subject.lccArseniuro de galio
dc.subject.lccEpitaxia en fase líquida
dc.subject.lccCapas epitaxiales
dc.subject.lccEspectroscopia de infrarrojo lejano
dc.subject.lccPortadores de carga
dc.thesis.careerLicenciatura en Ciencias de la Electrónica (aparece lic. en electrónica)
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ciencias de la Electrónica
dc.thesis.degreetoobtainLicenciado (a) en Electrónica
dc.titleEstudio de la concentración de portadores de capas epitaxiales de GaAs crecidas por la técnica de epitaxia en fase líquida
dc.typeTesis de licenciatura
dc.type.degreeLicenciatura
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Tesis de Licenciatura