Estudio de la fotoluminiscencia de monocapas y bicapas de SRO y SiCxOy obtenidas por la técnica HFCVD
Date
2023-07
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
"Actualmente el silicio (Si) sigue siendo la base de la industria microelectrónica, más sin embargo el desarrollo nuevos dispositivos emisores de luz a base de silicio aún está en investigación, ya que el silicio en bulto es un semiconductor de banda indirecta y su uso como material emisor de luz está limitado. Las películas de SiCxOy han demostrado una alta intensidad de fotoluminiscencia en la región blanca (3.35-1.72 eV) con bajas concentraciones de carbono (3.8-9.3%) mediante la técnica HFCVD. En el presente trabajo de tesis las monocapas de SRO y SiCxOy, así como las bicapas SRO/ SiCxOy fueron obtenidas por la técnica HFCVD. En el caso de las monocapas de SRO se analizó el efecto tratamiento térmico en N2. Esto con el fin de estudiar cambios en su emisión fotoluminiscente, así como cambios estructurales en cuanto a su composición química y enlaces moleculares. Cabe señalar que el desarrollo de esta tesis genera información de interés para la comunidad científica, debido a la obtención de un amplio rango de fotoluminiscencia en la región visible para la futura aplicación de dispositivos emisores de luz blanca basados en silicio".
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