Estudio de las propiedades no lineales en estructuras MOS y sus posibles aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos
Date
1999-10
Authors
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
"En este trabajo, se investigó la influencia de la carga superficial, de las trampas en la interface Si-SiO2 y de los defectos extendidos en la región de carga espacial, sobre las curvas de generación en una estructura MOS (metal óxido semiconductor). En el primer caso se identificó la forma de la influencia de la carga superficial sobre las curvas de generación, se observó una distorsión cuya magnitud depende de las condiciones iniciales de polarización. En el segundo caso, se mostró que dependiendo de las condiciones iniciales de polarización y del tiempo de vida de generación, el proceso de generación superficial puede ser dominante con respecto a la generación volumétrica, causando una distorsión en las curvas de generación. En el tercer caso se muestra que si se presenta un incremento en la razón de generación en la región del campo eléctrico alto aplicado (explicado con base a la teoría unidimensional de Poole-Frenkel), este incremento se debe además de la concentración de los defectos, de su naturaleza. Se encontró que la asociación defecto (dislocación)- impureza (cobre y cromo) es la responsable de este efecto".
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