Estudio de las propiedades no lineales en estructuras MOS y sus posibles aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos

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dc.contributorDiaz Becerril, Tomas
dc.contributor.authorJuárez Santiesteban, Héctor
dc.creatorJUAREZ SANTIESTEBAN, HECTOR; 15971
dc.date.accessioned2024-05-30T21:46:12Z
dc.date.available2024-05-30T21:46:12Z
dc.date.issued1999-10
dc.description.abstract"En este trabajo, se investigó la influencia de la carga superficial, de las trampas en la interface Si-SiO2 y de los defectos extendidos en la región de carga espacial, sobre las curvas de generación en una estructura MOS (metal óxido semiconductor). En el primer caso se identificó la forma de la influencia de la carga superficial sobre las curvas de generación, se observó una distorsión cuya magnitud depende de las condiciones iniciales de polarización. En el segundo caso, se mostró que dependiendo de las condiciones iniciales de polarización y del tiempo de vida de generación, el proceso de generación superficial puede ser dominante con respecto a la generación volumétrica, causando una distorsión en las curvas de generación. En el tercer caso se muestra que si se presenta un incremento en la razón de generación en la región del campo eléctrico alto aplicado (explicado con base a la teoría unidimensional de Poole-Frenkel), este incremento se debe además de la concentración de los defectos, de su naturaleza. Se encontró que la asociación defecto (dislocación)- impureza (cobre y cromo) es la responsable de este efecto".
dc.folio20240201114936-6043-T
dc.formatpdf
dc.identificator1
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/20628
dc.language.isospa
dc.matricula.creator941001054
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
dc.subject.lccSemiconductores de óxido metálico--Defectos
dc.subject.lccPelículas semiconductoras
dc.subject.lccDislocaciones en cristales
dc.subject.lccFotoluminiscencia
dc.thesis.careerDoctorado en Ciencias (Física Aplicada)
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ciencias Físico Matemáticas
dc.thesis.degreetoobtainDoctor (a) en Ciencias (Física Aplicada)
dc.titleEstudio de las propiedades no lineales en estructuras MOS y sus posibles aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos
dc.typeTesis de doctorado
dc.type.conacytdoctoralThesis
dc.type.degreeDoctorado
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