Efecto de la temperatura de crecimiento y flujo de hidrógeno en películas de SiCxOy depositadas por la técnica HFCVD
Date
2020-11
Authors
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
“En la actualidad, el avance tecnológico ha permitido el desarrollo de nuevos dispositivos, los cuales se han integrado en áreas muy pequeñas. Este avance se ha logrado debido al desarrollo tecnológico que se tiene en base a la tecnología MOS (Metal Oxide Semiconductor), y ha permitido el desarrollo de dispositivos micro-electrónicos más pequeños, celdas solares más eficientes y la fabricación de chips que realizan una tarea específica [1-2]. Sin embargo, este avance no se ha logrado en el área de dispositivos electroluminiscentes teniendo al silicio como material activo, lo que ha ocasionado que diferentes grupos de investigación en todo el mundo realicen un esfuerzo por desarrollar una tecnología que permita obtener materiales luminiscentes compatibles con la tecnología MOS. Además, la tecnología actual basada en silicio, demanda continuamente niveles extremos de integración debido a la miniaturización de dispositivos micro-electrónicos, lo que ha generado alcanzar el límite en el número de integración de dispositivos. Esto ha provocado que se exploren nuevas opciones para transmitir información a través de señales ópticas, y evitar los efectos de capacitancias parasitas [3].”
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