Efecto de la temperatura de crecimiento y flujo de hidrógeno en películas de SiCxOy depositadas por la técnica HFCVD

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dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorVásquez Agustín, Marco Antonio
dc.contributorCoyopol Solís, Antonio
dc.contributor.advisorVásquez Agustín, Marco Antonio; 173445
dc.contributor.advisorCOYOPOL SOLIS, ANTONIO; 218687
dc.contributor.authorMauricio Almeida, Martin
dc.date.accessioned2021-02-02T21:09:15Z
dc.date.available2021-02-02T21:09:15Z
dc.date.issued2020-11
dc.description.abstract“En la actualidad, el avance tecnológico ha permitido el desarrollo de nuevos dispositivos, los cuales se han integrado en áreas muy pequeñas. Este avance se ha logrado debido al desarrollo tecnológico que se tiene en base a la tecnología MOS (Metal Oxide Semiconductor), y ha permitido el desarrollo de dispositivos micro-electrónicos más pequeños, celdas solares más eficientes y la fabricación de chips que realizan una tarea específica [1-2]. Sin embargo, este avance no se ha logrado en el área de dispositivos electroluminiscentes teniendo al silicio como material activo, lo que ha ocasionado que diferentes grupos de investigación en todo el mundo realicen un esfuerzo por desarrollar una tecnología que permita obtener materiales luminiscentes compatibles con la tecnología MOS. Además, la tecnología actual basada en silicio, demanda continuamente niveles extremos de integración debido a la miniaturización de dispositivos micro-electrónicos, lo que ha generado alcanzar el límite en el número de integración de dispositivos. Esto ha provocado que se exploren nuevas opciones para transmitir información a través de señales ópticas, y evitar los efectos de capacitancias parasitas [3].”es_MX
dc.folio20201216155131-3266-TLes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator7es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/10311
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator201455599es_MX
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Pueblaes_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍAes_MX
dc.subject.lccMicroelectrónica--Investigaciónes_MX
dc.subject.lccSemiconductores complementarios de óxido metálicoes_MX
dc.subject.lccDispositivos electroluminiscentes--Materialeses_MX
dc.subject.lccPelículas delgadas de carburo de silicioes_MX
dc.subject.lccPelículas dieléctricases_MX
dc.thesis.careerLicenciatura en Ciencias de la Electrónica (aparece lic. en electrónica)es_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ciencias de la Electrónicaes_MX
dc.thesis.degreetoobtainLicenciado (a) en Electrónicaes_MX
dc.titleEfecto de la temperatura de crecimiento y flujo de hidrógeno en películas de SiCxOy depositadas por la técnica HFCVDes_MX
dc.typeTesis de licenciaturaes_MX
dc.type.conacytbachelorThesises_MX
dc.type.degreeLicenciaturaes_MX
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