Estudio del efecto de nitruración en películas de GaAs depositadas sobre sustratos de silicio caracterizadas morfológica, óptica y estructuralmente
dc.audience | generalPublic | |
dc.contributor | Coyopol Solís, Antonio | |
dc.contributor | García Salgado, Godofredo | |
dc.contributor.advisor | COYOPOL SOLIS, ANTONIO; 218687 | |
dc.contributor.advisor | GARCIA SALGADO, GODOFREDO; 122938 | |
dc.contributor.author | Valdez Torija, Eduardo Alejandro | |
dc.creator | VALDEZ TORIJA, EDUARDO ALEJANDRO; 549540 | |
dc.date.accessioned | 2024-03-13T17:50:21Z | |
dc.date.available | 2024-03-13T17:50:21Z | |
dc.date.issued | 2023-11 | |
dc.description.abstract | “En este trabajo de tesis, se estudia el crecimiento de películas de arsenuro de galio (GaAs) mediante la técnica de transporte en fase vapor en un espacio cercano (CSVT), sobre sustratos de silicio (Si) tipo n (100) y su efecto de nitruración en ambiente de amoníaco (NH3). Las películas de GaAs se crecieron a 800, 900 y 1000 ◦C, y el proceso de nitruración se llevó a cabo a 900 ◦C con una relación de gases NH3 : H2 de 1:100. Las películas de GaAs con y sin proceso de nitruración se analizaron mediante difracción de rayos X (XRD), espectroscopia Raman, espectroscopia de reflectancia difusa y microscopía electrónica de barrido con análisis de rayos X de dispersión de energía (SEM-EDX). Las mediciones de difracción de rayos X con incidencia rasante en las películas de GaAs nitruradas, confirman una estructura wurtzita de GaN policristalino, con orientación preferencial a lo largo de (002), además, se observa un plano cristalográfico de baja intensidad en 2θ = 52.18◦ correspondiente a Ga2O3. Los resultados de cuantificación en peso promedio (Wt. % ) de películas de GaAs nitruradas se determinaron mediante EDS”. | |
dc.folio | 20231116132411-9188-T | |
dc.format | ||
dc.identificator | 1 | |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12371/20224 | |
dc.language.iso | spa | |
dc.matricula.creator | 218570591 | |
dc.publisher | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla | |
dc.rights.acces | openAccess | |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 | |
dc.subject.classification | CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA | |
dc.subject.lcc | Diodos emisores de luz--Materiales | |
dc.subject.lcc | Semiconductores de arseniuro de galio--Diseño y construcción | |
dc.subject.lcc | Crecimiento de cristales | |
dc.subject.lcc | Peliculas delgadas--Propiedades opticas | |
dc.thesis.career | Doctorado en Dispositivos Semiconductores | |
dc.thesis.degreediscipline | Área de Ingeniería y Ciencias Exactas | |
dc.thesis.degreegrantor | Instituto de Ciencias | |
dc.thesis.degreetoobtain | Doctor(a) en Dispositivos Semiconductores | |
dc.title | Estudio del efecto de nitruración en películas de GaAs depositadas sobre sustratos de silicio caracterizadas morfológica, óptica y estructuralmente | |
dc.type | Tesis de doctorado | |
dc.type.conacyt | doctoralThesis | |
dc.type.degree | Doctorado |
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