Estudio del efecto de nitruración en películas de GaAs depositadas sobre sustratos de silicio caracterizadas morfológica, óptica y estructuralmente

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributorCoyopol Solís, Antonio
dc.contributorGarcía Salgado, Godofredo
dc.contributor.advisorCOYOPOL SOLIS, ANTONIO; 218687
dc.contributor.advisorGARCIA SALGADO, GODOFREDO; 122938
dc.contributor.authorValdez Torija, Eduardo Alejandro
dc.creatorVALDEZ TORIJA, EDUARDO ALEJANDRO; 549540
dc.date.accessioned2024-03-13T17:50:21Z
dc.date.available2024-03-13T17:50:21Z
dc.date.issued2023-11
dc.description.abstract“En este trabajo de tesis, se estudia el crecimiento de películas de arsenuro de galio (GaAs) mediante la técnica de transporte en fase vapor en un espacio cercano (CSVT), sobre sustratos de silicio (Si) tipo n (100) y su efecto de nitruración en ambiente de amoníaco (NH3). Las películas de GaAs se crecieron a 800, 900 y 1000 ◦C, y el proceso de nitruración se llevó a cabo a 900 ◦C con una relación de gases NH3 : H2 de 1:100. Las películas de GaAs con y sin proceso de nitruración se analizaron mediante difracción de rayos X (XRD), espectroscopia Raman, espectroscopia de reflectancia difusa y microscopía electrónica de barrido con análisis de rayos X de dispersión de energía (SEM-EDX). Las mediciones de difracción de rayos X con incidencia rasante en las películas de GaAs nitruradas, confirman una estructura wurtzita de GaN policristalino, con orientación preferencial a lo largo de (002), además, se observa un plano cristalográfico de baja intensidad en 2θ = 52.18◦ correspondiente a Ga2O3. Los resultados de cuantificación en peso promedio (Wt. % ) de películas de GaAs nitruradas se determinaron mediante EDS”.
dc.folio20231116132411-9188-T
dc.formatpdf
dc.identificator1
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/20224
dc.language.isospa
dc.matricula.creator218570591
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
dc.subject.lccDiodos emisores de luz--Materiales
dc.subject.lccSemiconductores de arseniuro de galio--Diseño y construcción
dc.subject.lccCrecimiento de cristales
dc.subject.lccPeliculas delgadas--Propiedades opticas
dc.thesis.careerDoctorado en Dispositivos Semiconductores
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Ciencias
dc.thesis.degreetoobtainDoctor(a) en Dispositivos Semiconductores
dc.titleEstudio del efecto de nitruración en películas de GaAs depositadas sobre sustratos de silicio caracterizadas morfológica, óptica y estructuralmente
dc.typeTesis de doctorado
dc.type.conacytdoctoralThesis
dc.type.degreeDoctorado
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