Crecimiento de películas de silicio conteniendo galio y europio para la mejora de la emisión luminiscente en la región visible
Date
2025-11-24
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Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
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“La vanguardia tecnológica actual impulsa una intensa investigación en materiales semiconductores, buscando desarrollar dispositivos optoelectrónicos y fotovoltaicos más eficientes y avanzados. En este contexto, el estudio de sus propiedades físicas y químicas ha llevado a la emergencia de materiales con características novedosas, destacando los nanomateriales por sus propiedades únicas, ausentes en sus contrapartes a gran escala. La reducción de las dimensiones de los materiales a escala nanométrica desencadena nuevos efectos cuánticos. Por ejemplo, aunque el silicio (Si) es un semiconductor ampliamente utilizado en la industria debido a sus notables propiedades físicas y químicas, a nivel macroscópico posee una banda de energía prohibida indirecta, lo que históricamente ha limitado su aplicación en dispositivos optoelectrónicos. No obstante, el descubrimiento de Canham sobre la intensa fotoluminiscencia del silicio poroso (SiP) a temperatura ambiente revolucionó esta perspectiva, demostrando que las propiedades ópticas del Si cambian drásticamente a tamaños de nanoescala, esto abrió la puerta al desarrollo de fuentes de luz basadas en este material. El objetivo de este trabajo es, depositar películas de SRO:EuGa mediante HWCVD, utilizando SBA-15 como precursor sólido, con el fin de comprender la influencia del dopaje sobre las propiedades estructurales y ópticas del SRO, particularmente las asociadas a su comportamiento luminiscente”.
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