Crecimiento de películas de silicio conteniendo galio y europio para la mejora de la emisión luminiscente en la región visible

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributorMorales Ruiz, Crisóforo
dc.contributorGaleazzi Isasmendi, Reina
dc.contributor.advisorMorales Ruiz, Crisóforo; 0000-0002-7565-9809
dc.contributor.advisorGaleazzi Isasmendi, Reina; 0000-0002-1682-558X
dc.contributor.authorDíaz Tapia, Daniel
dc.creatorDíaz Tapia, Daniel; 0009-0001-5433-8774
dc.date.accessioned2026-06-02T15:49:15Z
dc.date.available2026-06-02T15:49:15Z
dc.date.issued2025-11-24
dc.description.abstract“La vanguardia tecnológica actual impulsa una intensa investigación en materiales semiconductores, buscando desarrollar dispositivos optoelectrónicos y fotovoltaicos más eficientes y avanzados. En este contexto, el estudio de sus propiedades físicas y químicas ha llevado a la emergencia de materiales con características novedosas, destacando los nanomateriales por sus propiedades únicas, ausentes en sus contrapartes a gran escala. La reducción de las dimensiones de los materiales a escala nanométrica desencadena nuevos efectos cuánticos. Por ejemplo, aunque el silicio (Si) es un semiconductor ampliamente utilizado en la industria debido a sus notables propiedades físicas y químicas, a nivel macroscópico posee una banda de energía prohibida indirecta, lo que históricamente ha limitado su aplicación en dispositivos optoelectrónicos. No obstante, el descubrimiento de Canham sobre la intensa fotoluminiscencia del silicio poroso (SiP) a temperatura ambiente revolucionó esta perspectiva, demostrando que las propiedades ópticas del Si cambian drásticamente a tamaños de nanoescala, esto abrió la puerta al desarrollo de fuentes de luz basadas en este material. El objetivo de este trabajo es, depositar películas de SRO:EuGa mediante HWCVD, utilizando SBA-15 como precursor sólido, con el fin de comprender la influencia del dopaje sobre las propiedades estructurales y ópticas del SRO, particularmente las asociadas a su comportamiento luminiscente”.
dc.folio20251125155053-6566-T
dc.formatpdf
dc.identificator1
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/32742
dc.language.isospa
dc.matricula.creator221570362
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
dc.subject.lccIngeniería (general)--Materiales de ingeniería y construcción--Materiales de composición o estructura especial--Materiales porosos
dc.subject.lccIngeniería (General)--Materiales de ingeniería y construcción--Materiales de composición o estructura especial--Películas delgadas
dc.subject.lccMateriales mesoporosos--Síntesis
dc.subject.lccPeliculas delgadas--Propiedades opticas--Evaluación
dc.subject.lccSilicio--Propiedades ópticas
dc.thesis.careerDoctorado en Dispositivos Semiconductores
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Ciencias
dc.thesis.degreetoobtainDoctor (a) en Dispositivos Semiconductores
dc.titleCrecimiento de películas de silicio conteniendo galio y europio para la mejora de la emisión luminiscente en la región visible
dc.typeTesis de doctorado
dc.type.conacytdoctoralThesis
dc.type.degreeDoctorado
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