Efecto del tratamiento térmico en las propiedades ópticas y estructurales de películas de oxicarburo de silicio (SiCxOy) obtenidas por la técnica HFCVD
Date
2024-04
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
"Debido a la importancia de los materiales semiconductores para la fabricación de dispositivos emisores de luz, principalmente la capa activa. Es de vital importancia conocer las propiedades ópticas y estructurales de ésta para el desarrollo de dispositivos emisores de luz basados en silicio. Este tema ha sido de gran interés para la comunidad científica en los últimos años, lo que ha ocasionado que diferentes centros de investigación realicen trabajos enfocados en la búsqueda de un material con buenas propiedades luminiscentes candidato a integrarse con la tecnología CMOS que se encuentra bastante desarrollada. Como resultado de los trabajos de investigación, se tienen algunos materiales como el SP, Oxinitruro de Silicio, Nitruro Rico en Silicio, Oxido de Silicio no Estequiométrico u Oxido de Silicio Rico en Silicio y el Oxicarburo de Silicio. En el centro de investigación donde se desarrolló este trabajo de tesis, se ha reportado el proceso de obtención de películas SiCxOy por HFCVD. Las películas de SiCxOy obtenidas por la técnica HFCVD han demostrado una alta intensidad de Fotoluminiscencia en el rango de 450 a 500 nm con bajas concentraciones de carbono (3.8-9.3 % at.), lo que representa una alta emisión en la región azul".
Description
Keywords
Citation
Collections
Document Viewer
Select a file to preview:
Can't see the file? Try reloading