Efecto del tratamiento térmico en las propiedades ópticas y estructurales de películas de oxicarburo de silicio (SiCxOy) obtenidas por la técnica HFCVD

Simple item page
dc.audiencegeneralPublic
dc.contributorCoyopol Solís, Antonio
dc.contributorRomano Trujillo, Roman
dc.contributor.advisorCoyopol Solís, Antonio; 0000-0001-5498-5640
dc.contributor.authorPérez Trinidad, Juan Carlos
dc.date.accessioned2024-07-01T18:46:37Z
dc.date.available2024-07-01T18:46:37Z
dc.date.issued2024-04
dc.description.abstract"Debido a la importancia de los materiales semiconductores para la fabricación de dispositivos emisores de luz, principalmente la capa activa. Es de vital importancia conocer las propiedades ópticas y estructurales de ésta para el desarrollo de dispositivos emisores de luz basados en silicio. Este tema ha sido de gran interés para la comunidad científica en los últimos años, lo que ha ocasionado que diferentes centros de investigación realicen trabajos enfocados en la búsqueda de un material con buenas propiedades luminiscentes candidato a integrarse con la tecnología CMOS que se encuentra bastante desarrollada. Como resultado de los trabajos de investigación, se tienen algunos materiales como el SP, Oxinitruro de Silicio, Nitruro Rico en Silicio, Oxido de Silicio no Estequiométrico u Oxido de Silicio Rico en Silicio y el Oxicarburo de Silicio. En el centro de investigación donde se desarrolló este trabajo de tesis, se ha reportado el proceso de obtención de películas SiCxOy por HFCVD. Las películas de SiCxOy obtenidas por la técnica HFCVD han demostrado una alta intensidad de Fotoluminiscencia en el rango de 450 a 500 nm con bajas concentraciones de carbono (3.8-9.3 % at.), lo que representa una alta emisión en la región azul".
dc.folio20240426162358-2351-T
dc.formatpdf
dc.identificator1
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/20858
dc.language.isospa
dc.matricula.creator221470360
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
dc.subject.lccDispositivos electroluminiscentes
dc.subject.lccPelículas delgadas--Materiales
dc.subject.lccFotoluminiscencia--Investigación
dc.subject.lccLuminiscencia--Medición
dc.thesis.careerMaestría en Dispositivos Semiconductores
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Ciencias
dc.thesis.degreetoobtainMaestro(a) en Dispositivos Semiconductores
dc.titleEfecto del tratamiento térmico en las propiedades ópticas y estructurales de películas de oxicarburo de silicio (SiCxOy) obtenidas por la técnica HFCVD
dc.typeTesis de maestría
dc.type.conacytmasterThesis
dc.type.degreeMaestría
Files
Original bundle
Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
20240426162358-2351-T.pdf
Size:
3.41 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
Name:
20240426162358-2351-CARTA.pdf
Size:
188.83 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Collections
Tesis de Maestría