Síntesis de polvos de AlxGa1-xN para obtener blancos y depositar películas por sputtering y su caracterización

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributorGarcía Salgado, Godofredo
dc.contributorRomano Trujillo, Román
dc.contributorHerrera Castillo, Ana María
dc.contributor.advisorGARCIA SALGADO, GODOFREDO; 122938
dc.contributor.advisorROMANO TRUJILLO, ROMAN; 176893
dc.contributor.advisorHERRERA CASTILLO, ANA MARIA; 484700
dc.contributor.authorRodríguez González, Jorge Alberto
dc.date.accessioned2024-05-21T21:47:11Z
dc.date.available2024-05-21T21:47:11Z
dc.date.issued2024-01
dc.description.abstract"En este trabajo de tesis, se propone la obtención de películas de AlxGA1-xN depositadas por RF magnetrón sputtering primeramente en atmósfera de N2 y en segundo lugar en atmósfera de N2/Ar, usando blancos preparados con polvos sintetizados por pirólisis. El primer paso es la obtención de polvos vía pirólisis, esto se desarrolla a partir de un compuesto complejo metalorgánico, utilizando como reactivos nitrato de aluminio (Al(NO3)3), nitrato de galio (Ga(NO3)3) de ultra alta pureza y carbohidrazida (CH6N4O), posteriormente se realiza el proceso de nitruración mediante un recocido en flujo de amoníaco (NH3) a 1000°C durante 1 hora. Una vez sintetizados los polvos de AlGaN, se realizó el proceso de sinterizado a una temperatura de 800°C durante una hora en atmosfera de N2, en un horno de tres zonas, con el propósito de obtener los blancos con la firmeza necesaria para el depósito por RF magnetrón sputtering; posteriormente el blanco se introdujo en el equipo Intercovamex V1, para el depositó de películas de Al0.6Ga0.4N, AlN y GaN en sustratos de silicio tipo N, con una orientación (100) así como en sustratos de cuarzo, se utilizó un tamaño de blanco de 2.54 cm de diámetro y 0.5 cm de espesor".
dc.folio20240124123033-7288-T
dc.formatpdf
dc.identificator1
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/20566
dc.language.isospa
dc.matricula.creator221470099
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
dc.subject.lccDispositivos electroluminiscentes
dc.subject.lccPelículas delgadas--Materiales
dc.subject.lccSemiconductores
dc.subject.lccNitruro de galio
dc.subject.lccPeliculas delgadas--Propiedades opticas
dc.thesis.careerMaestría en Dispositivos Semiconductores
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Ciencias
dc.thesis.degreetoobtainMaestro(a) en Dispositivos Semiconductores
dc.titleSíntesis de polvos de AlxGa1-xN para obtener blancos y depositar películas por sputtering y su caracterización
dc.typeTesis de maestría
dc.type.conacytmasterThesis
dc.type.degreeMaestría
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Tesis de Maestría