Optimización eléctrica de transistores túnel FET de película delgada con nitruros mediante simulaciones numéricas
Date
2022-03-10
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
"Los transistores de tunelamiento FET, han surgido como una alternativa a las tecnolo gías actuales por su velocidad de conmutación y ultra bajo consumo de energía, lo cual la vuelve la tecnología idónea en cómputo, esto debido a su pendiente de subumbral menor a 60 mV/década. En este trabajo se simulará y obtendrá un modelo para un transistor de película delgada GaN, mediante el programa TCAD (Technology computer-aided design) SILVACO, para generar un modelo circuital que nos ayude a simular en un entorno de circuitos eléctricos los transistores, que en un futuro se fabricarán".
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