Optimización eléctrica de transistores túnel FET de película delgada con nitruros mediante simulaciones numéricas

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dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorDossetti Romero, Víctor
dc.contributorAlvarado Pulido, José Joaquín
dc.contributor.advisorDOSSETTI ROMERO, VICTOR; 123499
dc.contributor.advisorALVARADO PULIDO, JOSE JOAQUIN; 43237
dc.contributor.authorHuixtlaca Quintana, Mauricio
dc.date.accessioned2022-10-04T15:58:12Z
dc.date.available2022-10-04T15:58:12Z
dc.date.issued2022-03-10
dc.description.abstract"Los transistores de tunelamiento FET, han surgido como una alternativa a las tecnolo gías actuales por su velocidad de conmutación y ultra bajo consumo de energía, lo cual la vuelve la tecnología idónea en cómputo, esto debido a su pendiente de subumbral menor a 60 mV/década. En este trabajo se simulará y obtendrá un modelo para un transistor de película delgada GaN, mediante el programa TCAD (Technology computer-aided design) SILVACO, para generar un modelo circuital que nos ayude a simular en un entorno de circuitos eléctricos los transistores, que en un futuro se fabricarán".es_MX
dc.folio20220315095037-7454-Tes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator1es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/16468
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator220470137es_MX
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Pueblaes_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAes_MX
dc.subject.lccMicroelectrónica--Procesamiento de datoses_MX
dc.subject.lccTransistores de efecto de campoes_MX
dc.subject.lccCircuitos integrados--Simulación por computadoraes_MX
dc.subject.lccEfecto túnel (Física)--Modelos matemáticoses_MX
dc.thesis.careerMaestría en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Cienciases_MX
dc.thesis.degreetoobtainMaestro(a) en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.titleOptimización eléctrica de transistores túnel FET de película delgada con nitruros mediante simulaciones numéricases_MX
dc.typeTesis de maestríaes_MX
dc.type.conacytmasterThesises_MX
dc.type.degreeMaestríaes_MX
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