Obtención de películas de fosfuro de galio e indio (GaInP) mediante CSVT
Date
2024-10
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
"En este trabajo se propuso la posibilidad del depósito de películas delgadas de Fosfuro de Galio e Indio (GaInP), por medio de la técnica de Transporte de Vapor en Espacio Cerrado (CSVT), en sustratos de silicio, como un método alternativo para el depósito de películas del material, puesto que, en los últimos años ha habido un gran interés por el estudio de los compuestos III-V, esto debido a sus propiedades físicas y químicas como la dureza, rigidez y el punto de fusión, estas propiedades permiten la fabricación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos de alto rendimiento. Para la obtención del GaInP, en la industria, se usan métodos de fabricación, que requieren crecer aleaciones semiconductoras de más de dos elementos, control de la temperatura y la presión de crecimiento y una alta reproducibilidad. La idea de este trabajo de tesis es obtener un material ternario o cuaternario mediante el uso del sistema CSVT, y al mismo tiempo abrir nuevas líneas de investigación que, a futuro, podrían tener un impacto significativo en la producción de dispositivos semiconductores".
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