Obtención de películas de fosfuro de galio e indio (GaInP) mediante CSVT

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributorGarcía Salgado, Godofredo
dc.contributorCoyopol Solis, Antonio
dc.contributor.advisorGARCIA SALGADO, GODOFREDO; 122938
dc.contributor.advisorCOYOPOL SOLIS, ANTONIO; 218687
dc.contributor.authorLezama Morales, Rafael Alejandro
dc.date.accessioned2025-02-06T17:25:18Z
dc.date.available2025-02-06T17:25:18Z
dc.date.issued2024-10
dc.description.abstract"En este trabajo se propuso la posibilidad del depósito de películas delgadas de Fosfuro de Galio e Indio (GaInP), por medio de la técnica de Transporte de Vapor en Espacio Cerrado (CSVT), en sustratos de silicio, como un método alternativo para el depósito de películas del material, puesto que, en los últimos años ha habido un gran interés por el estudio de los compuestos III-V, esto debido a sus propiedades físicas y químicas como la dureza, rigidez y el punto de fusión, estas propiedades permiten la fabricación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos de alto rendimiento. Para la obtención del GaInP, en la industria, se usan métodos de fabricación, que requieren crecer aleaciones semiconductoras de más de dos elementos, control de la temperatura y la presión de crecimiento y una alta reproducibilidad. La idea de este trabajo de tesis es obtener un material ternario o cuaternario mediante el uso del sistema CSVT, y al mismo tiempo abrir nuevas líneas de investigación que, a futuro, podrían tener un impacto significativo en la producción de dispositivos semiconductores".
dc.folio20241107130809-3832-T
dc.formatpdf
dc.identificator1
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/24831
dc.language.isospa
dc.matricula.creator221470359
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
dc.subject.lccIngeniería (general)--Materiales de ingeniería y construcción--Materiales de composición o estructura especial--Películas delgadas
dc.subject.lccSemiconductores--Diseño y construcción--Métodos
dc.subject.lccFotoluminiscencia--Medición
dc.thesis.careerMaestría en Dispositivos Semiconductores
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Ciencias
dc.thesis.degreetoobtainMaestro(a) en Dispositivos Semiconductores
dc.titleObtención de películas de fosfuro de galio e indio (GaInP) mediante CSVT
dc.typeTesis de maestría
dc.type.conacytmasterThesis
dc.type.degreeMaestría
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