Estudio de los diagramas de fase de la aleación cuaternaria AlₓGa₁-ₓAsᵧSb₁-ᵧ
Date
1999
Authors
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
La presente investigación se enfoca en el estudio termodinámico y la modelación de diagramas de fase para aleaciones semiconductoras cuaternarias del tipo IIIₓIII₁-ₓVᵧV₁-ᵧ, centrando su análisis en el compuesto AlₓGa₁-ₓAsᵧSb₁-ᵧ acoplado a la red cristalina de sustratos de antimonuro de galio (GaSb). En el contexto de la fotónica y las comunicaciones por fibra óptica de SiO₂ —donde la transmisión en el infrarrojo medio requiere componentes optoelectrónicos de alta eficiencia sintonizados a longitudes de onda óptimas—, las heteroestructuras III-V resultan indispensables para lograr un adecuado confinamiento óptico y electrónico, requiriendo un estricto acoplamiento de red para evitar defectos estructurales.
El objetivo central de la tesis consiste en calcular y simular las curvas de equilibrio sólido-líquido (liquidus) a bajas temperaturas (menores a 500 °C, con viabilidad proyectada hasta 350 °C), empleando el método termodinámico de la solución regular. Mediante herramientas de cálculo numérico en el entorno MATHCAD, se evalúan las ecuaciones del liquidus para predecir las condiciones ideales de síntesis mediante la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (LPE), optimizando tanto la calidad cristalina como el control en la concentración de portadores.
A lo largo de sus capítulos, el documento transita desde la fundamentación bibliográfica de materiales y dispositivos (láseres y fotodetectores de avalancha) hasta la deducción analítica y simulación computacional de los diagramas cuaternarios. De este modo, la introducción perfila un marco predictivo riguroso que sustenta la futura fabricación de dispositivos optoelectrónicos avanzados para telecomunicaciones.