Estudio de los diagramas de fase de la aleación cuaternaria AlₓGa₁-ₓAsᵧSb₁-ᵧ

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributor.advisorAzucena Coyotecatl, Honorato
dc.contributor.advisorOlvera Hernandez, Javier
dc.contributor.advisorMartinez Juarez, Javier
dc.contributor.authorGastellou Hernandez Erick
dc.contributor.committeeJuarez Santiesteban, Hector
dc.contributor.committeeGarcia Olivares, Rosa
dc.contributor.committeeDe Leon Paredes, Victor
dc.contributor.committeeAzucena Coyotecatl, Honorato
dc.contributor.committeeOlvera Hernandez, Javier
dc.contributor.committeeMartinez Juarez, Javier
dc.coverage.placeTesiteca biblioteca Central 3er. piso
dc.date.accessioned2026-10-16T20:15:26Z
dc.date.available2026-10-16T20:15:26Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractLa presente investigación se enfoca en el estudio termodinámico y la modelación de diagramas de fase para aleaciones semiconductoras cuaternarias del tipo IIIₓIII₁-ₓVᵧV₁-ᵧ, centrando su análisis en el compuesto AlₓGa₁-ₓAsᵧSb₁-ᵧ acoplado a la red cristalina de sustratos de antimonuro de galio (GaSb). En el contexto de la fotónica y las comunicaciones por fibra óptica de SiO₂ —donde la transmisión en el infrarrojo medio requiere componentes optoelectrónicos de alta eficiencia sintonizados a longitudes de onda óptimas—, las heteroestructuras III-V resultan indispensables para lograr un adecuado confinamiento óptico y electrónico, requiriendo un estricto acoplamiento de red para evitar defectos estructurales. ​El objetivo central de la tesis consiste en calcular y simular las curvas de equilibrio sólido-líquido (liquidus) a bajas temperaturas (menores a 500 °C, con viabilidad proyectada hasta 350 °C), empleando el método termodinámico de la solución regular. Mediante herramientas de cálculo numérico en el entorno MATHCAD, se evalúan las ecuaciones del liquidus para predecir las condiciones ideales de síntesis mediante la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (LPE), optimizando tanto la calidad cristalina como el control en la concentración de portadores. ​A lo largo de sus capítulos, el documento transita desde la fundamentación bibliográfica de materiales y dispositivos (láseres y fotodetectores de avalancha) hasta la deducción analítica y simulación computacional de los diagramas cuaternarios. De este modo, la introducción perfila un marco predictivo riguroso que sustenta la futura fabricación de dispositivos optoelectrónicos avanzados para telecomunicaciones.
dc.identifier.bibrecordLELE1999 G3 E8
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/34249
dc.language.isospa
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesrestrictedAccess
dc.subject.lccSemiconductores compuestos
dc.subject.lccDiagramas de fases
dc.subject.lccTermodinámica
dc.thesis.careerLicenciatura en Ciencias de la Electrónica (aparece lic. en electrónica)
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ciencias de la Electrónica
dc.thesis.degreetoobtainLicenciado (a) en Electrónica
dc.titleEstudio de los diagramas de fase de la aleación cuaternaria AlₓGa₁-ₓAsᵧSb₁-ᵧ
dc.typeTesis de licenciatura
dc.type.degreeLicenciatura
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Tesis de Licenciatura