Obtención de películas de nitruro de silicio enriquecido por la técnica LPCVD para su posible aplicación como películas antirreflejantes

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributorMonfíl Leyva, Karim
dc.contributorDomínguez Jiménez, Miguel Ángel
dc.contributor.advisorMONFIL LEYVA, KARIM; 37712
dc.contributor.advisorDOMINGUEZ JIMENEZ, MIGUEL ANGEL; 160547
dc.contributor.authorUribe González, Francisco
dc.creatorURIBE GONZALEZ, FRANCISCO; 435946
dc.date.accessioned2025-10-28T21:35:02Z
dc.date.available2025-10-28T21:35:02Z
dc.date.issued2025-04-08
dc.description.abstract"El nitruro de silicio es un material comúnmente utilizado para aplicaciones cerámicas y en los procesos de fabricación de circuitos integrados (CIs), también ha aumentado el interés de la comunidad científica para ser utilizado como recubrimiento funcional debido a sus propiedades físicas, mecánicas, eléctricas y optoelectrónicas. En particular, el nitruro de silicio rico en silicio (SRSN) ha sido considerado en la industria fotovoltaica, como una película de conversión descendente para células solares. En este trabajo, las películas de SRSN se han obtenido mediante la técnica de deposición química en fase de vapor a baja presión (LPCVD) a temperaturas de deposición bajas a moderadas con una variación en la relación de presión de los gases precursores. Las películas de SRSN mostraron una amplia fotoluminiscencia (PL) en la región visible y propiedades ópticas adecuadas para ser utilizadas como recubrimiento fotoluminiscente en celdas solares de silicio. La ausencia de altas temperaturas de deposición podría preservar la estructura original de las celdas solares de silicio, una vez que se aplique la capa de SRSN. Además, el control de la relación de presión de los gases reactivos y la temperatura de deposición muestra una influencia en el índice de refracción, la rugosidad de la superficie y la emisión de fotoluminiscencia".
dc.folio20250620112702-3920-T
dc.formatpdf
dc.identificator1
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/30106
dc.language.isospa
dc.matricula.creator217570727
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
dc.subject.lccIngeniería (General)--Materiales de ingeniería y construcción--Materiales de composición o estructura especial--Películas delgadas
dc.subject.lccDeposición química de vapor
dc.subject.lccPelículas delgadas--Superficies--Análisis
dc.subject.lccPeliculas delgadas--Propiedades opticas--Evaluación
dc.thesis.careerDoctorado en Dispositivos Semiconductores
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Ciencias
dc.thesis.degreetoobtainDoctor (a) en Dispositivos Semiconductores
dc.titleObtención de películas de nitruro de silicio enriquecido por la técnica LPCVD para su posible aplicación como películas antirreflejantes
dc.typeTesis de doctorado
dc.type.conacytdoctoralThesis
dc.type.degreeDoctorado
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