Análisis de las corrientes de fuga en transistores MOS
Date
2021-12
Authors
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
"El presente trabajo se dedica al estudio de los diversos mecanismos de la corriente de fuga y su impacto en el desempeño de los CMOS. Las pérdidas de potencia en la tecnología CMOS han cobrado un papel tan impor tante que corren el riesgo de convertirse en un óbice para diversas implementaciones de esta tecnología. Un entendimiento más profundo de su naturaleza y como se relaciona con diversas características intrínsecas al CMOS y su fabricación se hace necesario en camino a limitar su impacto. Desde la descripción de los diferentes mecanismos que influyen en la corriente de Fuga, hasta su impacto en dispositivos CMOS, este trabajo se vale tanto de literatura específica en estos tópicos como en los resultados obtenidos por fiables herramientas de diseño y simulación. Para el análisis de la corriente de fuga, ésta se planteó en dispositivos primordiales de la tecnología CMOS: el inversor digital y el Oscilador de Anillo. El primero es piedra angular de múltiples aplicaciones y su estudio está encaminado al entendimiento del impacto de la corriente de fuga en dispositivos más complejos".
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