Análisis de las corrientes de fuga en transistores MOS

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dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorGonzález Díaz, Víctor Rodolfo
dc.contributorArriaga Arriaga, Cesar Augusto
dc.contributor.advisorGonzalez Díaz, Víctor Rodolfo; 48264
dc.contributor.advisorARRIAGA ARRIAGA, CESAR AUGUSTO; 476580
dc.contributor.authorCano Muñoz, Jassiel
dc.creatorCANO MUÑOZ, JASSIEL; 481028
dc.date.accessioned2022-08-29T17:05:49Z
dc.date.available2022-08-29T17:05:49Z
dc.date.issued2021-12
dc.description.abstract"El presente trabajo se dedica al estudio de los diversos mecanismos de la corriente de fuga y su impacto en el desempeño de los CMOS. Las pérdidas de potencia en la tecnología CMOS han cobrado un papel tan impor tante que corren el riesgo de convertirse en un óbice para diversas implementaciones de esta tecnología. Un entendimiento más profundo de su naturaleza y como se relaciona con diversas características intrínsecas al CMOS y su fabricación se hace necesario en camino a limitar su impacto. Desde la descripción de los diferentes mecanismos que influyen en la corriente de Fuga, hasta su impacto en dispositivos CMOS, este trabajo se vale tanto de literatura específica en estos tópicos como en los resultados obtenidos por fiables herramientas de diseño y simulación. Para el análisis de la corriente de fuga, ésta se planteó en dispositivos primordiales de la tecnología CMOS: el inversor digital y el Oscilador de Anillo. El primero es piedra angular de múltiples aplicaciones y su estudio está encaminado al entendimiento del impacto de la corriente de fuga en dispositivos más complejos".es_MX
dc.folio20220128152433-7456-TLes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator7es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/16243
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator200612052es_MX
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Pueblaes_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍAes_MX
dc.subject.lccCircuitos integradoses_MX
dc.subject.lccSemiconductores complementarios de óxido metálicoes_MX
dc.subject.lccMemoria de acceso aleatorioes_MX
dc.subject.lccFugas eléctricases_MX
dc.thesis.careerLicenciatura en Ingeniería en Mecatrónicaes_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ciencias de la Electrónicaes_MX
dc.thesis.degreetoobtainIngeniero (a) en Mecatrónicaes_MX
dc.titleAnálisis de las corrientes de fuga en transistores MOSes_MX
dc.typeTesis de licenciaturaes_MX
dc.type.conacytbachelorThesises_MX
dc.type.degreeLicenciaturaes_MX
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