Consideraciones de diseño para un sistema de epitaxia por haces moleculares (MBE) en la industria semiconductor
Date
2003
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
El diseño de un sistema MBE (epitaxia por haces moleculares) requiere condiciones ultraalto vacío, control térmico preciso y una geometría que asegure la deposición uniforme de materiales sobre sustratos semiconductores. Entre las consideraciones clave están el tipo y número de celdas efusoras, los sistemas de monitoreo in situ (como RHEED), y la integración de automatización y seguridad. Esta técnica permite el crecimiento de capas delgadas con precisión atómica, esenciales en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos, láseres y transistores de alta velocidad, favoreciendo la innovación en la industria de semiconductores.